整流二极管导通、关断时，具有很宽的频谱含量，开关频率及其谐波本身就是较强的干扰源。
原边反激MOS管导通，次级整流二极管关断时，副边励磁电感被钳制，副边漏感Les和二极管杂散电容Cj发生振荡，其振荡频率为：
f=1/(2pi*sqrt(Les*Cj))
反激式MOS管关断，副边二极管由通转向关断，原边励磁电感被释放，CDS和原边电感的杂散电容为并联状态，再和原边电感LP(励磁电感+漏感之和）产生的振荡噪声，通过变压器耦合到次级，形成共模电流环路。
这个二极管的噪声应当很小吧，达到认证的要求了。没必要去搞。
如果开关噪声来源是内部寄生电容在开关状态下突然充放电导致的，需要对电路布局做合理优化
大部分噪音都是布局引起的各种振荡叠加。
只要开关电源工作，就一定会有噪声产生，无法消除，只能通过抑制来降低干扰，常见是线路优化和工艺改进来处理
反激电源的变压器工作在单向磁化状态,不仅要通过磁耦合传递能量,还担负电压变换输入输出隔离的多重作用。
气隙的处理需要非常小心，气隙太大可使漏感变大，磁滞损耗增加，铁损、铜损增大，影响电源的整机性能。
