看楼主的电源功率很小，才1.5W,可以省去RCD吸收电路，从而降低电源成本。

芯片内部有频率抖动、逐周期限流、热关断等功能，很适合制作小功率模块电源。

LinkSwitch-XT2在宽输入范围设计中可提供6.1W的输出功率，在230VAC敞开式应用中可提供9.2W的输出功率。

电路中省去了Y电容，并且该款开关IC可对开关频率进行调制，极大降低了EMI，从而降低了滤波器的成本.

GaN可实现高频开关，这样可减小无源器件的尺寸，从而增加密度。

SiCMOSFET在较高结温下的RDS(ON)较低，有助于提高系统能效。

在空载条件下，辅助偏置电压的选择范围为8V至10V，这有助于改善无负载消耗以及轻负载效率。

InnoSwitch3-EP系列集成了该系列额定电压最高的MOSFET（725V），可提供全面的输入电压及负载保护。

电路采用有偏置时，它的空载损耗低于10mW，损耗极低，发热少，效率高，可靠性也高。

其输出电流受到严格的调控，优于±5％CC。在典型的应用中，可轻松实现92％的效率。