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北京晶川电子 2017-08-10
| 咨询：常青藤 | 目前，仿真技术在产品开发过程中的重要性越来越明显。仿真结果的准确度和可信性很大程度上依赖于器件模型的准确度。英飞凌对于自身供货的功率半导体器件及其它器件，在仿真模型支持上目前是什么态度？是否有计划提供对于常用的仿真软件，如Synopsys Saber， Orcad Pspice的模型支持，？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
部分产品提供pspice仿真模型 |
| 咨询：sdwulijie2010 | 目前直流充电桩做的是单向的还是双向的？对目前直流充电桩常用的技术拓扑比较感兴趣，最近SIC这个新型mosfet还是比较火的，大家都在提，它与目前的mosfet可以兼容使用吗？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
直流充电桩有单向的也有双向的。SIC MOSFET与普通MOSFET驱动电平不一样，要注意区分。 |
| 咨询：xxbw6868 | 请问单管IGBT单管的 G极加个 电阻（这个电阻的阻值比较小），主要做什么用的？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
这是门极驱动电阻，主要用来调节门极驱动电流。如果IGBT开关速度太快，可能会对电路造成电磁干扰问题，也极有可能引发IGBT失效，因此需要在门极串入电阻，调整IGBT的开关速度在安全的范围内。 |
| 咨询：kotliner | 如何提高充电桩的转换效率？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
1、使用低损耗器件，如CoolSiC. 2、提高开关速度，降低磁性元件体积及损耗。3、改善散热能力。4、三电平拓扑有助于提升效率 |
| 咨询：wxsl711 | 使用SiC MOS，电磁兼容特性如何？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
SIC器件因为开关速度比较快，对系统设计的要求很高，需要精心布局走线避免电磁干扰。 |
| 咨询：hjl742876110 | 想请问下英飞凌的IGBT在充电桩的应用，及优势？IGBT和MOS在充电桩的分别有哪些应用？何时选用MOS，何时选用IGBT？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
直流充电桩中PFC stage开关频率一般在20~70kHz, 可以选用英飞凌coolmos或者650V H5/F5及1200V H3系列产品。DC-DC 部分开关频率最高可达200kHZ, 可以选用英飞凌coolmos或SIC mosfet |
| 咨询：hj2014 | 英飞凌mos的优势是什么。 |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
英飞凌配备super junction技术的cool mos相比于普通MOS，具有导通阻抗小，功耗低，速度快，电流容量大的优势 |
| 咨询：tangwk | 英飞凌MOS关于充电桩这块的具体技术优势是？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
1、提供一站式器件解决方案，从控制到驱动到功率器件的丰富完整的产线。2、业界领先的器件技术，coolmos CoolSiC, trenchstop5. |
| 咨询：winber | 直流充电桩，充电速度快，输入电压高、输出电流大，对元器件散热性、安全性、可靠性均有很高要求，请问英飞凌在上面这些方面有没有很好的解决办法？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
在器件选择方面，选择温度裕量比较高，坚固性比较好的器件。英飞凌Trenchstop5及H3系列的IGBT最高工作温度175C，可以保证高温运行稳定性。另外，H3系列还能够保证10US的短路耐量，保证系列的可靠性。在系统设计方面，改善散热，降低系统杂散电感，驱动设计上增加过压及短路的保护功能 |
| 咨询：yuewang_1972 | 30kW直流充电模块的未来发展指标能做到多少？例如功率密度?价格?效率?输出电压范围? |
| 回复：晶川专家 陈刚 |
价格<0.2元/w, 效率>=98%,输出电压500VDC或者750VDC。 |
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