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北京晶川电子 2017-08-10
| 咨询：天线 | IGBT模块的GS和CE都击穿是什么原因？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
GS和CE都击穿的原因可能有很多，需要根据实际的失效现象来判断原因。可能的原因有1、IGBT超出安全工作区，可能会发生电流擎住现象，异常增大的电流会将IGBT烧出一个从上到下贯穿的熔洞，此时GS和CE的结构都会被破坏。2、连带效应，CE过压通过米勒效应反馈给门极，造成GS同时也过压失效。 |
| 咨询：Martin_Liu | NPC架构是否有合适的IFX SIC MOSFET产品推荐？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
需要根据NPC架构的实际的应用需求不同，推荐不同的产品 |
| 咨询：magic火月 | SIC MOSFET并联使用出现炸管，想了解SIC MOSFET失效可能原因。 |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
SIC MOSFET失效原因很多，门极过压，CE过压，过温，过流都有可能引起失效。建议做失效分析找明原因 |
| 咨询：Martin_Liu | SIC MOSFET的驱动方案是什么？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
英飞凌的Eicedriver可以用来做SIC MOSFET的驱动，比如1EDI10I12MF,1EDI20N12AF等。详细信息可以参考英飞凌应用手册 AN2017-04。英飞凌coolSIC的驱动电压可以兼容IGBT驱动电压。 在SIC驱动时，要做到快速的短路保护的检测，采用负压关断或者用具有米勒钳位的驱动芯片。 |
| 咨询：半夏微凉 | SiC mosfet的效果如何？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
英飞凌目前有1200V电压等级的SIC MOSFET，耐压高于coolmos的900V，扩展了MOSFET的应用范围。SIC MOSFET相比于IGBT开关损耗大大降低，因而开关频率远高于IGBT。SIC MOSFET的体二极管也是SIC二极管，能够更进一步地提供系统效率。 |
| 咨询：黑夜公爵 | SIC MOSFET和传统的MOSFET有什么区别，哪些性能改进了 |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
传统MOSFET采用硅衬底材料，SIC MOSFET采用SIC作为衬底材料。SIC是一种宽禁带半导体材料，它的禁带宽度是SI材料的3倍，临界电场强度是SI材料的10倍，热导率是SI材料的2.5倍，非常适合于高温、高压、高开关频率的的应用场合 |
| 咨询：lyhummer | SIC类的失效分析会议会不会做介绍？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
不会 |
| 咨询：semipeconverter | SiC器件驱动如何处理？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
英飞凌所有的Eicedriver都可以用来做SIC MOSFET的驱动，比如1EDI10I12MF,1EDI20N12AF等。详细信息可以参考英飞凌应用手册 AN2017-04。英飞凌coolSIC的驱动电压可以兼容IGBT驱动电压。 在SIC驱动时，要做到快速的短路保护的检测，采用负压关断或者用具有米勒钳位的驱动芯片。 |
| 咨询：chen1834 | 采用SIC的MOSFET还需要吸收电路吗？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
取决于具体设计，如果系统杂散电感较高，电压尖峰大，可以安排吸收电路。但增加吸收电路会增加系统损耗，需要权衡利弊进行设计 |
| 咨询：李虎1 | 大功率的MOS有哪些优势 |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
具体指哪款MOS？ |
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