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北京晶川电子 2017-08-10
| 咨询：szcclinton | 现在哪家公司充电桩做得相对好一些? |
| 回复：英飞凌专家 wang dan |
国内优秀的充电桩企业非常多，他们也是英飞凌的重要客户 |
| 咨询：a2512848524 | 现在直流充电桩模块输出功率多大比较好？用什么方式并联比较合适？ |
| 回复：英飞凌专家 wang dan |
直流充电桩已模块化设计，功率大小可配置，看具体应用场合 |
| 咨询：Dew_Gao | 想要了解充电桩以后的市场能不能朝着超快速冲电的方向发展 |
| 回复：英飞凌专家 wang dan |
缩短充电时间对于新能源汽车是刚需 |
| 咨询：yedaochang | 英飞凌IGBT单管 最大功率是多大 |
| 回复：英飞凌专家 wang dan |
英飞凌IGBT单管TO-247PLUS封装, 600V IGBT电流高达120A和1200V IGBT电流高达75A |
| 咨询：hk123456 | 英飞凌igbt最大电压多少 |
| 回复：英飞凌专家 wang dan |
英飞凌IGBT单管额定电压包括600/650/1200/1350/1600V |
| 咨询：问问逆变器 | 直流充电桩，需要多大的功率才合适？ IGBT单管和SIC MOSFET不同方案，他们各自的优势所在？ |
| 回复：英飞凌专家 wang dan |
直流充电桩已模块化设计，功率大小可配置，看具体应用场合；根据不同应用场合和设计目标，英飞凌CoolSiC™ MOSFET电压等级为1200V，英飞凌IGBT单管包括600/650/1200V |
| 咨询：jinanrenyy | IGBT单管和SIC MOSFET 区别 |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
1、首先，衬底材料不同。IGBT采用硅衬底材料，SIC MOSFET采用SIC作为衬底材料。SIC是一种宽禁带半导体材料，它的禁带宽度是SI材料的3倍，临界电场强度是SI材料的10倍，热导率是SI材料的2.5倍，非常适合于高温高压的应用。2、其次，IGBT与MOSFET的器件结构不同。MOSFET是单极型器件，只有电子参与导电。而IGBT在MOSFET的背面增加了P+层，在导通时电子与空穴都参与导电，是双极型器件。两种载流子都参与导电可以大大降低器件的导通电阻，但是在电流关断时，IGBT体内多余的少子只能 |
| 咨询：a736015 | IGBT和SIC MOSFET的解决方案有什么区别？两种管子是否可以替用？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
IGBT解决方案DC-DC部分开关频率40~60kHZ, SIC MOSFET开关频率可达100~400KHZ，大大减小了磁性元件的体积。SIC MOSFET的最大开关频率大于IGBT，120KHZ以上IGBT无法替用MOSFET。目前英飞凌IGBT单管有600V，650V，1200V等电压等级，而SIC MOSFET产品只有1200V的电压等级，也要根据电压来决定是否可以替用。 |
| 咨询：wxsl711 | IGBT封装有几种？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
IGBT的封装形式种类繁多。大体上来说，可以分为单管（又称为分立器件）和模块两大类。所谓单管，一般是只含有一个的IGBT芯片，有的单管内部会有反并联的二极管。单管有TO263,TO220,TO247等多种封装标准。而模块一般含有多个IGBT芯片，这些芯片可能会并联从而达到较高的电流等级，也有可能会和反并联二极管一起，组成丰富的拓扑结果，比如半桥，全桥，三相桥，三电平等。模块的封装标准可能各家定义不同，英飞凌模块有EASY,ECONO,PRIMEPACK,IHM,IHV等。 |
| 咨询：充电修修 | IGBT单管以及SIC MOSFET具体有什么区别？ |
| 回复：英飞凌专家 Zhao Jia |
1、首先，衬底材料不同。IGBT采用硅衬底材料，SIC MOSFET采用SIC作为衬底材料。SIC是一种宽禁带半导体材料，它的禁带宽度是SI材料的3倍，临界电场强度是SI材料的10倍，热导率是SI材料的2.5倍，非常适合于高温高压的应用。2、其次，IGBT与MOSFET的器件结构不同。MOSFET是单极型器件，只有电子参与导电。而IGBT在MOSFET的背面增加了P+层，在导通时电子与空穴都参与导电，是双极型器件。两种载流子都参与导电可以大大降低器件的导通电阻，但是在电流关断时，IGBT体内多余的少子只能 |
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