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英飞凌 2017-08-22
| 咨询：小学渣 | 高、低压MOSFET分别有什么？ |
| 回复：品佳专家朱明 |
目前高压主推P7系列，以及即将发布的CFD7系列。低压看应用场合，讲求高频特性主推optiMOS5，开关频率不高要求电流能力抗冲击能力强主推原IR的一些产品. |
| 咨询：大熊熊 | 高、低压MOSFET的性能参数是怎样的？ |
| 回复：品佳专家朱明 |
主要参数有Rdson, Vdss, Id, Qg, Ciss, Coss, Crss, Trr，Qrr，Vgsth等 |
| 咨询：pyw111 | 电源适配器如何减小MOSFET di/dt, dv/dt ？ |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
减小MOSFET的di/dt和dv/dt可以通过增大外部栅极电阻Rg，在漏源之间并联几个pF的电容等方式实现 |
| 咨询：灵隐桃庵 | 充电器的PCB应该如何布局呢？对EMI。 |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
充电器一般都是Flyback反激拓扑，对于反激拓扑，很关键的PCB布局在于输入电容，变压器，吸收电路，MOSFET之间构成的回路，这个回路的路径必须尽量短，吸收电路尽量靠近MOSFET的漏极，漏极与栅极之间不要平行走线。漏极在保证散热的情况下尽量面积小等等。 |
| 咨询：elecfansspy | 在QC3.0方面有哪个系列的产品（MOS）？ |
| 回复：品佳专家朱明 |
原边高压有700V,800V P7；SR有opti 5；输出保护MOS P or N 都有. |
| 咨询：ffk136 | 英飞凌的MOSFET, 对于驱动有什么要求? |
| 回复：品佳专家朱明 |
没有特别要求. |
| 咨询：paper766 | coolmos有什么不同？导通电流和导通电阻是怎样的关系？ |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
CoolMOS采用英飞凌专利的superjunction技术，相比其他MOSFET技术，在相同耐压下导通电阻更低，寄生参数更小，因此工作频率更高，效率更高。导通电流Id和导通电阻RDS(on)的关系请见datasheet中的曲线。 |
| 咨询：pyw111 | 英飞凌OptiMOS 5，SR MOSFET的理想选择 ? |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
是的，OptiMOS5是英飞凌最新一代（第五代）低压MOSFET（>=300V），导通电阻及寄生参数更小，效率更高，工作频率更高，因此适合于同步整流(SR)等应用 |
| 咨询：denyuiwen | 对于低压MOS，他的散热性能比高压的要好吗？在那方面体现？ |
| 回复：品佳专家朱明 |
不一定，看具体应用场合。 |
| 咨询：jiaerxing | 英飞凌大功率IGBT在电焊机中的应用 |
| 回复：品佳专家朱明 |
你好，可以联系品佳集团，谢谢！ |
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