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英飞凌 2017-08-22
| 咨询：pyw111 | 充电器应用中使用CoolMOS时的EMI优化方法？ |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
优化方法保护调整MOSFET的栅极驱动电阻，在MOSFET的漏栅极之间并联一个几pF到十几pF的电容，调整变压器的绕制方式等 |
| 咨询：huihui1986 | 1。coolmos的米勒电容比VDMOS的小，带来的EMI问题较为突出，如果在coolmos的D、G之间外部并联电容会改善EMI吗？这种改善的作用有多大？目前最新的P7系列产品，遇到的EMI问题是不是更加严重？改进的方法是？ |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
在DG之间并联电容会减小dv/dt，因此可以有效改善EMI问题，但是这个电容不能太大，否则会使得栅极震荡严重，建议为几pF到十多个pF较为合适。 P7系列相比之前的系列，EMI问题没有变得严重，相反得以改善，通过优化栅极驱动电阻及米勒电容，使得P7系列更易用。由于EMI问题并不只是MOSFET本身的问题，而是系统设计问题，通过滤波器（如果有的话）的设计，PCB的布局布线，变压器的设计等都可以有效改善EMI。 |
| 咨询：abc9981 | 针对工业用途24V5A选型有什么建议 |
| 回复：品佳专家朱明 |
效率成本什么要求？选用什么拓扑，反激还是谐振半桥？ |
| 咨询：吴东波 | CoolMOS相比较与MOSFET在温升，功耗方面是否有特殊之处？ |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
CoolMOS采用英飞凌专利保护的超级结技术，其特点是导通电阻低，寄生参数小，从而使得MOSFET的开关损耗和导通损耗相比其他技术小很多。损耗小意味着相同输出功率下发热小，因此温升可以更低。当然器件的温升主要与系统的散热直接相关，即散热器的设计，风扇的选型，风道的设计等。 |
| 咨询：快乐的小天使 | 全桥DCDC变换的效率如何提高，充电的保护电路一般有哪些呢 |
| 回复：品佳专家朱明 |
选用软开关拓扑，如LLC， PSFB。 选用数字方案控制。选用英飞凌COOLMOS。 |
| 咨询：jackey86 | OptiMOS 5和CoolMOS区别是什么？各自的优缺点和应用领域是什么？ |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
OptiMOS是英飞凌中低压MOSFET（20V~300V）的品牌，而CoolMOS是英飞凌高压MOSFET（>=500V）的品牌，因此两者的工作范围不同。OptiMOS主要用于DC/DC电源，副边同步整流等场合。而CoolMOS用于AC/DC电源的PFC级及高压DC/DC的原边侧，另外CoolMOS广泛用于充电桩，OBC等场合 |
| 咨询：jiajia8481258 | 你们无线充电应用的MOSFET 有什么优势 |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
无线充电应用中，一般工作频率都很高（例如6MHz），此时MOSFET的开关损耗占其最主要的部分，英飞凌的MOSFET的Qg，Ciss/Cgd/Coss等非常小，在高频下损耗很小，因此非常适合与无线充电等应用 |
| 咨询：hpzax | 英飞凌充电器有成功案例不？最大多少千瓦？ |
| 回复：品佳专家朱明 |
很多，功率范围涵盖 10-30kW等。 |
| 咨询：半夏微凉 | 现在的手机充电器主要是那些种类，哪种最好？ |
| 回复：品佳专家朱明 |
普通充电5V/1-2A输出。 快充分为低压大电流，如5V/4A, 4.5A 和支持高通协议的QC2.0,3.0,4.0的变电压方案，5V/9V/12V。 |
| 咨询：ajcfmxd | 目前的快充技术在实际充电中对普通的充电宝，或者充电蓝牙影响有没有影响？ |
| 回复：品佳专家朱明 |
如果电子设备不支持快充技术，charger输出即为普通5V/1A or 5V/2A输出. |
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