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英飞凌 2017-08-22
| 咨询：zhuxuanwei | coolmOS的结温达到多少 |
| 回复：品佳专家朱明 |
150，175 |
| 咨询：yjyd6677 | COOl MosFET 在充电器/适配器中的成本优势在哪？ |
| 回复：英飞凌专家卢柱强 |
与平面MOS相比，CoolMOS的一个优势是效率提升，减少发热，因此可以降低与散热相关的成本，并提高功率密度。 |
| 咨询：天上飞的树儿 | 如何尽量减小反激拓扑中的EMI噪音 |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
可以通过减小MOSFET的开关速度（增大栅极驱动电阻，GD之间并联几个pF的电容），更改变压器的绕制方式（采用三明治方式），增加RCD吸收能力等几方面实现 |
| 咨询：pyw111 | 怎么减小MOSFET di/dt, dv/dt |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
减小MOSFET的di/dt和dv/dt可以通过增大外部栅极电阻Rg，在漏源之间并联几个pF的电容等方式实现 |
| 咨询：pyw111 | 高效充电器设计要注意些什么？ |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
既然是要获得高效率，需要注意MOSFET的选型和变压器的设计，MOSFET推荐英飞凌的CoolMOS（原边MOSFET）和OptiMOS（副边同步整流MOSFET），变压器建议选用磁损较小的材料（PC95类）。 |
| 咨询：abc9981 | 工业使用 24V5A有什么设计方案 |
| 回复：品佳专家朱明 |
效率成本什么要求？选用什么拓扑，反激还是谐振半桥？ 英飞凌都有方案，有需要请联系品佳集团，谢谢！ |
| 咨询：吴东波 | CoolMOS与MOSFET 区别在哪里？ |
| 回复：英飞凌专家宋清亮 |
CoolMOS采用超级结技术，在相同耐压下相比普通MOSFET导通电阻更低，寄生参数更小，因此CoolMOS的开关损耗和导通损耗都更低，而CoolMOS的可靠性高，参数一致性好，确保产品的一致性和寿命更好。 |
| 咨询：suunny | 是否有考虑在无线充电领域提供解决方案？ |
| 回复：品佳专家朱明 |
英飞凌有类似方案。 |
| 咨询：yangweiping | 英飞凌的MOSFET使用在适配器上最大能过多少A？ |
| 回复：品佳专家朱明 |
要看选用什么电压和封装。 |
| 咨询：szyouer | 高、低压MOSFET的导通内阻是咋样的？ |
| 回复：英飞凌专家卢柱强 |
MOSFET的内阻最小值跟封装有一定关联性。针对充电器/适配器 的应用，高压MOS的SOT-223贴片封装，内阻低至360mohm，现在有人用于45W的适配器设计。对于低压MOSFET，针对不同的充电器/适配器输出特性，也有相应的最优导通电阻推荐。 |
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