EMI降低技术
下面所述的变压器结构技术用于降低EMI：
• 使初级绕组作为骨架最里面的绕组。
• 初级绕组的起始端连接至TOPSwitch的漏极。
• 对于使用次级侧稳压的变压器设计，将偏置绕组放置在初级和次级绕组之间，作为一个屏蔽层。
其它的EMI/RFI降低技术包括在初级和次级绕组之间增加屏蔽以及增加用于降低变压器周围杂散场的“磁通量抑制带”。变压器中位于初级和次级之间的屏蔽层用于降低初级和次级之间的共模噪声的电容耦合。屏蔽层即可以初级高压供电端为参考，也可以初级返回端为参考。图11所示为典型的具有屏蔽层的变压器结构。最经济的屏蔽形式为采用导线来绕制屏蔽层。变压器中增加屏蔽层时采用这种屏蔽方式的步骤非常简单，只要使一个绕组平铺至骨架的整个宽度就可以了。屏蔽绕组的一端连接至初级返回端或初级V+供电端，而绕组的另一端悬空，并使用胶带绝缘，使其埋藏在变压器内部，不要连接至任何引脚上。绕制屏蔽层时所使用的线径要选择合适，为减低屏蔽绕组的圈数，可以使用较大尺寸的导线。而使用相对较小尺寸的导线便于将其端接至变压器的引脚上。 对于中小尺寸的变压器，合理的导线线径为24-27AWG的导线。
在某些情况下，开关电源变压器周围的杂散磁场会对邻近电路构成干扰，进而产生EMI问题。为降低此类杂散磁场的影响，在变压器的外围可以增加一圈铜制的“磁通屏蔽带”，如图12所示。对于变压器绕组和磁芯形成的磁路以外的杂散磁通来说，“磁通屏蔽带”的作用 相当于对其进行短路。杂散磁场会在磁通屏蔽带内产生相反的电流，可以部分地抵消其影响。如有必要，磁通屏蔽带还可以连接至初级返回端，以降低静电耦合的 干扰。如果使用了磁通屏蔽带，必须注意初级引脚通过磁通屏蔽带至次级引脚之间，要保证足够的爬电距离。更多信息请参见AN-15中关于EMI降低技术的描述。
