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电源IC FAE 7年经历
wangchuangwccc
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wangchuangwccc:
功率越大,MOS管流过的电流越大,那么开关损耗和导通损耗越大,这就导致MOS管发烫严重,超过了设计要求,比如说常温老化,MOS温度都130度以上了,那么我们就需要MOS更低的RDSON,或者更好的散热,因为结构和体积的问题,更大的散热片或者更好的散热方式,不一定能实现。那么我们只能用更低的RDSON的MOS,但是更大的MOS,结电容也越大,那么IC如果驱不动,你换更大的MOS也没用,MOS管都不能正常打开和关闭,损耗反而更大。这么说理解吗,我自己都感觉我自己有点啰嗦
2021-07-12 11:40 回复
原帖:电源IC FAE 7年经历
wangchuangwccc:
驱动脚0.5A,一般也只能驱动7A左右MOS,这个说实在的,算起来好复杂,用微积分来算,通过驱动电阻和MOS管结电容,算出MOS管充放电时间,所以我直接看驱动波形,驱不驱的动,一目了然。COOLMOS主要是开关损耗低,现在都是同RDSON来替换平面MOS的,就是平面MOS是0.6R,我们也找0.6R内阻的COOLMOS替换(主要原因是就算是同内阻,COOLMOS都比平面MOS贵),温度还是比平面MOS低,不过这波MOS缺货涨价,现在COOLMOS反而便宜了
2021-07-12 11:26 回复
原帖:电源IC FAE 7年经历
wangchuangwccc:
前辈,是的,只有确实做过IC的FAE,才知道其中的心酸,如果只是想单纯做技术,那就在工厂做研发还好点,做FAE也是想多接触资源
2021-07-06 09:57 回复
原帖:电源IC FAE 7年经历
wangchuangwccc:
是的,上升沿时间越短,开关损耗越小,MOS管发热越小
2021-07-05 09:35 回复
原帖:电源IC FAE 7年经历
wangchuangwccc:
恩,确实驱动能力偏弱,限制了功率,这个我这边也有跟原厂提了这个问题,后续应该会升级一版驱动能力强的原边IC,目前市场上实在太缺IC了,所以我们基本给客户推荐CR6234+COOLMOS做到60W以内。
2021-07-05 09:33 回复
原帖:电源IC FAE 7年经历
wangchuangwccc:
后面会细讲的,更新的比较慢
2021-07-05 09:28 回复
原帖:电源IC FAE 7年经历
wangchuangwccc:
有的,私聊
2021-07-05 09:26 回复
原帖:电源IC FAE 7年经历
wangchuangwccc:
有的,我就是做IC代理的,具体什么方案,可以私聊
2021-06-28 10:03 回复
原帖:电源IC FAE 7年经历
wangchuangwccc:
可以看到驱动10N65的平面MOS时,驱动的上升沿明显拉长了,而且驱动波形已经畸变的很严重了,这个导致MOS开关损耗很大,效率低,MOS管发热严重。平常我们整改辐射时,比较难整30M-80M位置时,改大驱动电阻是有效果,但是还是需要注意下驱动波形,如果改的太大,驱动的上升沿太长,辐射是过了,但是MOS管发热严重,导致电源工作不稳定,并有可能有炸机的风险,那就得不偿失了。一般上升沿1-1.2US为宜,如果还整不过,就建议改其他位置了,毕竟,改变压器绕法不香吗。
2021-06-22 19:16 回复
原帖:电源IC FAE 7年经历
wangchuangwccc:
有点扯远了,回到驱动能力的问题,以前老IC的驱动能力会在规格书里标注,现在的IC规格书已经慢慢不标注这个参数了,但是我们可以从驱动波形来看驱动能力,之前推广启达的IC时,刚好测试了CR6234的驱动波形,所以留有波形[图片][图片]
2021-06-22 19:09 回复
原帖:电源IC FAE 7年经历
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