功率越大，MOS管流过的电流越大，那么开关损耗和导通损耗越大，这就导致MOS管发烫严重，超过了设计要求，比如说常温老化，MOS温度都130度以上了，那么我们就需要MOS更低的RDSON，或者更好的散热，因为结构和体积的问题，更大的散热片或者更好的散热方式，不一定能实现。那么我们只能用更低的RDSON的MOS，但是更大的MOS，结电容也越大，那么IC如果驱不动，你换更大的MOS也没用，MOS管都不能正常打开和关闭，损耗反而更大。这么说理解吗，我自己都感觉我自己有点啰嗦

驱动脚0.5A，一般也只能驱动7A左右MOS，这个说实在的，算起来好复杂，用微积分来算，通过驱动电阻和MOS管结电容，算出MOS管充放电时间，所以我直接看驱动波形，驱不驱的动，一目了然。COOLMOS主要是开关损耗低，现在都是同RDSON来替换平面MOS的，就是平面MOS是0.6R，我们也找0.6R内阻的COOLMOS替换（主要原因是就算是同内阻，COOLMOS都比平面MOS贵），温度还是比平面MOS低，不过这波MOS缺货涨价，现在COOLMOS反而便宜了

前辈，是的，只有确实做过IC的FAE，才知道其中的心酸，如果只是想单纯做技术，那就在工厂做研发还好点，做FAE也是想多接触资源

是的，上升沿时间越短，开关损耗越小，MOS管发热越小

恩，确实驱动能力偏弱，限制了功率，这个我这边也有跟原厂提了这个问题，后续应该会升级一版驱动能力强的原边IC，目前市场上实在太缺IC了，所以我们基本给客户推荐CR6234+COOLMOS做到60W以内。

后面会细讲的，更新的比较慢

有的，私聊

有的，我就是做IC代理的，具体什么方案，可以私聊

可以看到驱动10N65的平面MOS时，驱动的上升沿明显拉长了，而且驱动波形已经畸变的很严重了，这个导致MOS开关损耗很大，效率低,MOS管发热严重。平常我们整改辐射时，比较难整30M-80M位置时，改大驱动电阻是有效果，但是还是需要注意下驱动波形，如果改的太大，驱动的上升沿太长，辐射是过了，但是MOS管发热严重，导致电源工作不稳定，并有可能有炸机的风险，那就得不偿失了。一般上升沿1-1.2US为宜，如果还整不过，就建议改其他位置了，毕竟，改变压器绕法不香吗。

有点扯远了，回到驱动能力的问题，以前老IC的驱动能力会在规格书里标注，现在的IC规格书已经慢慢不标注这个参数了，但是我们可以从驱动波形来看驱动能力，之前推广启达的IC时，刚好测试了CR6234的驱动波形，所以留有波形[图片][图片]