最近客户返回一台装车不良样机，客户反馈在使用中突然设备无法使用，经过司内初步分析为MOS损坏，GS GD DS相互短路，导致产品功能异常，现在的问题是什么原因导致MOS异常损坏呢？
MOS损坏主要有几个原因：
1， 过流，持续大电流引起结温过高而出现烧毁问题。
2， 过压，VGS超出规格要求,VDS超出规格要求，导致损坏。
3， 静电，静电击穿导致MOS损坏。
排查情况
1， 经过排查，MOS的外表正常，不像过流导致的烧毁情况，因此可能性比较低。
2，排查过压问题，使用示波器抓取VGS电压波形在规格书范围内，同时VDS电压波形亦在正常范围内，排除此情况。
3，由于此颗物料应用在PCBA中心，静电引起的损坏可能性也较低。
那有可能哪里出现的问题呢？会不会MOS半开启时间太久了，导致发热损坏呢？怎么抓取此状态波形呢？
波形分析
如下图我们通过抓取流过MOS的电流值，及抓取VDS之间的压差，通过下图我们明显可以看出在VDS存在压差的情况下，有电流流过。此状态说明MOS处在半导通状态，时间持续为1.7S, VDS压差约5V， 流过电流约10A， 因此MOS流过产生热量为 P=UI=5*10=50W。
根据规格书，如下图，Power Dissipation最大功率为42W超出规格书最大热功率，同时我们使用热成像仪对MOS温度进行探测，实测温度达到165℃，接近MOS的工作上限(175℃)。
因此此半开启异常可能就是损坏MOS的原因，但是无法复现情况。
芯片拆解分析
通过芯片厂家开盖分析，如下图右上角为晶原损坏，但是无法确定就是半开启过温损坏。 大家觉得是那种情况损坏的呢？MOS质量问题？