目前测试电机波形的方式我看很少有人来讲，今天说说测试上下管的准备工作
测试上管一般使用差分探头测试GS和DS的电压波形，测试下管用单端即可，当然没有差分探头，也可以使用单端测试，参考地要选择电机的功率低，一般对于低速高压信号，说点题外话：layout不建议分太多地，否则会造成参考地过小，回流路径过大，干扰也越大，一般高低各一个地就好了，我看好多人设计都是将地分割很多部分，根据多年产品经验来说，高速低速高压低压数字模拟也不是绝对要分割开的，如果速率不快的电路可以数字模拟一个地，单独加磁珠隔离下，高低压这个最好要分隔开，根据能量来算，能量越大辐射干扰能力肯定是越强，干扰都是以能量的形式散发的，好了，这里就不多讲了，感兴趣的大家可以讨论。
这是测试过程中的GS回勾，一般我们选用的mos导通阈值一般是2v左右或者是3v导通，这个时候的回勾有误导通情况，这样当下管打开的时候，上下管会出现同时导通的风险，这样电源马上就会短路了，轻则烧mos，重则烧板子，这个时候就要选用阈值稍微高点的mos，当回勾的尖峰电压低于导通mos，这个时候是比较符合需要的，一般调整GS端预留的参数，至于怎么调整，这里不做过多的赘述。
还有这种波形出现，这个也需要调整，
一般做法是：
1.增大上桥RG电阻，减缓栅极充放电速度；
2.DS之间并联RC阻容；
3.适当增加Cgs电容。