当选用MOS管做开关，我们在设计时有时候只会考虑VGS的电压要高于Vth，而忽略VDS端的负载需要多少电流才能满足VDS电压趋近于0，特别是在选用一些需要高VGS电压才能满足输出负载时，忽略VGS的电压，往往得不到我们想要的实用结果，本文通过LTSPICE这个软件来对这个现象进行仿真。
LTSPICE是ADI开发的模拟电路的有力工具。它可以执行简单的模拟来验证新设计的功能。该工具还在短时间内完成复杂的分析，如最坏情况分析、频率响应或噪声分析等。可直接在ADI官网下载正版进行安装应用，LTSPICE安装简单，操作方便，功能强大，是一款不可多得的仿真工具。本文通过LTSPICE工具来仿真设计MOSFET电路。
以NMOSFET管为例，MOSFET管有三个工作区，截至区，变阻区，饱和区（恒流区），其对应的条件分别为：
Vgs<Vth;Vgs>Vth同时Vgs-Vth>Vds;Vgs>Vth同时Vgs-Vth<Vds,类比于三极管不同的是三极管的饱和区对应的MOSFET管的变阻区，自己以前也习惯将MOSFET管的变阻区称为饱和区，其实是不对的。
下面通过LTSPICE对MOSFET的这几个工作区域进行仿真。以英飞凌的BSC011N03LS为例，在LTSPICE中搭建电路：
对照datasheet可以看出在常温25°条件下，Vth的值为2V左右，仿真取Vgs极限值2V，测试D极电压（LTSPICE默认是常温25度的环境），仿真结果如下：
可以看出VDS电压为12V，MOSFET完全未导通。
增加VGS电压为2.5V，重新测试VDS电压，仿真结果如下：
VDS电压约为11.7V左右，此时VGS>Vth=2v,VGS-Vth<VDS
从电路图中可以看出，R1的阻值为40毫欧姆，若要MOSFET处于变阻区，就需要VGS-Vth>VDS, 通常我们希望VDS压降越小越好，最好是接近0V，通过计算，12v/40mΩ=300A，对应MOSFET管的曲线：
从曲线中可以看出常温25°下，若要IDS的电流为300A，VGS的电压至少需要达到3.2V，但是此时VDS压降还是达到了1V左右，我们先进行仿真：
VDS电压接近1v,此时MOSFET已经进入变阻区，但是我们希望VDS的电压是越小越好，因此，我们增加VGS的电压为趋近5V，仿真结果如下：
VDS电压达到了0.3V左右，符合datasheet中的数值，但是VDS仍然有0.3V的压降，加上大约300A的电流，会产生90W的功耗。因此还需要选择更低可以满足300A同时VDS压降更低的MOS管。
总结：在选用MOSFET管时，我们要根据输出负载的大小来选择低VDS电压的MOSFET管，特别是当我们输入电压较小时，更加要注意这一点。