无论您是资深电子工程师，还是初入“深坑”的电子小白，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）这个词相信您一定不会陌生。此外，和MOSFET同属一个大家族的还有IGBT（绝缘栅双极晶体管），SBD（肖特基势垒二极管），GTO（晶闸管）等等。在这里，我不再赘述MOS对于电路的重要性，相信懂的都懂。从这期开始，我将做一个专栏，专门针对器件仿真软件——sentaurus进行一个全面的讲解。
Sentaurus软件简介，SWB的功能介绍，如何通过sde“画”器件结构，如何通过sprocess“流”一个器件。通过Sdevice仿真器件性能，怎么通过svisual看仿真结果。如果您想揭开器件黑色外壳的神秘面纱，看到器件内部的电流涌动，如果您对器件内部的温度分布颇感兴趣，如果您想探究器件工作时的各种物理机理。那么，恭喜您，Follow me！在专栏中，我准备基于一个SiC MOSFET和大家一起进行1击穿电压的仿真（来看看究竟什么是耗尽区），2导通电阻的仿真（电流在器件内部的分布究竟是怎样的），3阈值电压的仿真（看看反型层到底是如何形成的），此外，还会有开关特性、CV特性、自热效应、栅电荷、短路耐受、UIS等一系列方针。相信通过基于器件级的全方位仿真，无论是对器件选型还是器件设计应用都会助您一臂之力。
比如绘制一个SIC MOS器件电势分布图：
双脉冲开关曲线：
新作者，纯手打，写作不易，欢迎点赞、转发、评论，非常感谢！
我会视大家的反响决定更新进度和内容，毕竟我也不清楚在电子星球平台有多少人关注器件级的仿真设计，需要仿真软件的请私信或留言。