MOSFET开关尖峰无法消除，请诸位专家指点

小弟做了一电路，用PWM驱动N MOSFET，实现电流的控制（瞬态70A左右，平均30A~40A）。

MOSFET驱动电压为12V。频率 20KHz，一共6个80A 60V的 MOSFET并联。

在调试的过程中发现，MOSFET 的S极的反向脉冲很高，最高达到了80V。

尝试了直接接反向二极管（跨接在负载上面），没有效果

尝试了在电源端、MOSFET Source极接1uF、0.01uF CBB电容到地，也没有效果

后来尝试了多种参数 RCD吸收电路，有一些效果。我尝试的RCD参数，R 5K~10K、C 0.01uF~0.1uF的组合，还有R 5K、C 1~2uF的组合，还有R 50~100欧， C1 ~2uF的组合，快恢复二极管是用ST的STTH1602CT ， 200V 20A，一个和两个并联都试过。

以上组合都试过，效果都差不多。脉冲峰值降到了60V左右。

但这个仍然是很高啊，对外部干扰非常大，MOSFET发热也很厉害。

请问诸位专家，这个有什么解决方案吗？非常感谢！！

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zhenxiang

LV.10

2012-06-12 08:55

MOS 漏源间的内部二极管可能速度不够快，在外部并个快恢复试试。还可以在负载2端并接快恢复二极管不可能一点效果没有

rfpowerstudy

LV.1

2012-06-12 09:47

@zhenxiang

MOS漏源间的内部二极管可能速度不够快，在外部并个快恢复试试。还可以在负载2端并接快恢复二极管不可能一点效果没有

谢谢zhenxiang版主，我补上了一个图。请帮我看看

这个电路图，MOSFET和G极电阻实际上有六组并联。驱动脚的电压和波形用示波器测量过，是正常的。

尖峰的消除，试过三个方案，分别用黄色线框出来了。

方案1有效果，能从80V降到60V。方案2和方案3，没有看到明显的效果。

测量点分别在负载的两端，脉冲基本一致。

rfpowerstudy

LV.1

2012-06-12 09:51

@rfpowerstudy

谢谢zhenxiang版主，我补上了一个图。请帮我看看这个电路图，MOSFET和G极电阻实际上有六组并联。驱动脚的电压和波形用示波器测量过，是正常的。尖峰的消除，试过三个方案，分别用黄色线框出来了。[图片] 方案1有效果，能从80V降到60V。方案2和方案3，没有看到明显的效果。测量点分别在负载的两端，脉冲基本一致。

以下两张图，是实际测量的波形（方案1，R 100欧，C 2uF）。示波器探头 10X