大家的SG3525驱动波形是怎样的?
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@11455355
看我以前针对这些问题的发贴啦!自己对症吧.http://bbs.dianyuan.com/topic/259579
转贴:
场管发热主要有2种形式:
1,两边热.
2,单边热.
两边热原因:
1,场管大于3对,没有加图腾柱造成MOS驱动不足(结电容泻放不快),使MOS工作在线性放大状态.虽然MOS与三极管不同是电压驱动元件,但场管越多结电容越大,因为MOS对电压太敏感,这个小小的电容储存的一点点电压都足以使得MOS上升和下降沿波形不良.在MOS数量配置上要注意,尽量选结电容小压降小的产品,管多必须图腾驱动.
2,变压器耦合不良,漏感大会产生很大的尖峰电压,这个电压回授到MOS和3525导致器件发热甚至击穿,进而爆管,滤波电容发热或爆炸也是此原因.
单边热原因:
1,变压器绕制不合格,初级线圈长度相差过大,差值越大产生的尖峰电压越大结果导致一边热,重载烧单边MOS和3525,滤波电容发热或爆炸也是此原因.
2,MOS到变压器初级的引线不对称,特别是MOS和变压器不在同一个板上的朋友要注意了!这个小的不对称效果媲美变压器的不对称,重载烧单边MOS和3525.
解决变压器漏感大和初级不对称的终极绕制方法:
1,骨架内层先平饶1-2层次极
2,将初级2组多芯线并列同向平绕X圈,取一组的头和另组的尾对接成为中间抽头.(保证初级同长度)
3,接续内层次级继续绕次级.
一点说明:这些都是做JJ的心得,是烧了N多MOS和3525得来,奉献给大家,希望有帮助.买JJ者别骂我,对于教会初哥对你们的生意之影响抱歉!
场管发热主要有2种形式:
1,两边热.
2,单边热.
两边热原因:
1,场管大于3对,没有加图腾柱造成MOS驱动不足(结电容泻放不快),使MOS工作在线性放大状态.虽然MOS与三极管不同是电压驱动元件,但场管越多结电容越大,因为MOS对电压太敏感,这个小小的电容储存的一点点电压都足以使得MOS上升和下降沿波形不良.在MOS数量配置上要注意,尽量选结电容小压降小的产品,管多必须图腾驱动.
2,变压器耦合不良,漏感大会产生很大的尖峰电压,这个电压回授到MOS和3525导致器件发热甚至击穿,进而爆管,滤波电容发热或爆炸也是此原因.
单边热原因:
1,变压器绕制不合格,初级线圈长度相差过大,差值越大产生的尖峰电压越大结果导致一边热,重载烧单边MOS和3525,滤波电容发热或爆炸也是此原因.
2,MOS到变压器初级的引线不对称,特别是MOS和变压器不在同一个板上的朋友要注意了!这个小的不对称效果媲美变压器的不对称,重载烧单边MOS和3525.
解决变压器漏感大和初级不对称的终极绕制方法:
1,骨架内层先平饶1-2层次极
2,将初级2组多芯线并列同向平绕X圈,取一组的头和另组的尾对接成为中间抽头.(保证初级同长度)
3,接续内层次级继续绕次级.
一点说明:这些都是做JJ的心得,是烧了N多MOS和3525得来,奉献给大家,希望有帮助.买JJ者别骂我,对于教会初哥对你们的生意之影响抱歉!
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@兄弟电器
转贴: 场管发热主要有2种形式: 1,两边热. 2,单边热.两边热原因: 1,场管大于3对,没有加图腾柱造成MOS驱动不足(结电容泻放不快),使MOS工作在线性放大状态.虽然MOS与三极管不同是电压驱动元件,但场管越多结电容越大,因为MOS对电压太敏感,这个小小的电容储存的一点点电压都足以使得MOS上升和下降沿波形不良.在MOS数量配置上要注意,尽量选结电容小压降小的产品,管多必须图腾驱动. 2,变压器耦合不良,漏感大会产生很大的尖峰电压,这个电压回授到MOS和3525导致器件发热甚至击穿,进而爆管,滤波电容发热或爆炸也是此原因.单边热原因: 1,变压器绕制不合格,初级线圈长度相差过大,差值越大产生的尖峰电压越大结果导致一边热,重载烧单边MOS和3525,滤波电容发热或爆炸也是此原因. 2,MOS到变压器初级的引线不对称,特别是MOS和变压器不在同一个板上的朋友要注意了!这个小的不对称效果媲美变压器的不对称,重载烧单边MOS和3525.解决变压器漏感大和初级不对称的终极绕制方法:1,骨架内层先平饶1-2层次极2,将初级2组多芯线并列同向平绕X圈,取一组的头和另组的尾对接成为中间抽头.(保证初级同长度)3,接续内层次级继续绕次级.一点说明:这些都是做JJ的心得,是烧了N多MOS和3525得来,奉献给大家,希望有帮助.买JJ者别骂我,对于教会初哥对你们的生意之影响抱歉!
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