为什么电机堵转时老是烧MOS管，是因为没有及时保护吗？

关断损耗太大了，可以算一下关断损耗是不是超过mos的最大耗散功率了

可以试一下加个三极管接到G极与地之间，中间再串联一个电阻调节关断速度，低电平的时候让三极管导通，使G极直接下拉到地，提高关断速度减小关断损耗

关断速度太慢，来不及关断就过流损坏MOS了。C7和C13根本就是多余，电容的残余电荷只会延迟关断。MOS驱动改为图腾柱驱动或MOS驱动芯片才能改善。

MOS关断速度太慢了，用图腾柱驱动试试。

堵转时的电流非常大，没有及时的保护很容易过流烧管。运放速度慢，用LM393比较器试试。

采样不用放大，放大有延时。直接进比较器就可以了。

可以教一下我怎么算吗？

MOS有时候是G和D之间击穿，有时候是D和S击穿是跟关断损耗有关系吗？

图腾柱我试过了的，还是会烧，请问我这个是什么导致关断速度太慢了，如果硬件信号给出来了，软件没有及时关MOS，导致我这个电路一直处于关断MOS，IN1-电平低于IN1+电平，然后358又输出高电平导通三极管，后导通MOS的状态，一直处于这个循环当中是否也会烧MOS管？

图腾柱我试过了，还是会烧呢

我一开始就是用LM393，没有经过放大，直接从比较器两端比较后输出给三极管的，还是会烧呢

我一开始就是直接进比较器的，还是会烧呢

菜鸟发表一下个人看法：

1、搞个600V的MOS管40A的MOS管替代以一下，如何还烧坏，则表示是热损坏，不是电压击穿。

2、可以测试R26电流检测电阻上的电压，G级输出低电压时，电压否为零，看mos管是否断开。

3、R21断开，换10K电阻接电源和GND，测试LM358放大和比较输出驱动G级响应速度。

第3点没懂呢？能解释一下怎么测反应速度吗？

把电流取样电阻改大一点，测试电流波与MOS管DS波形，看是不是存在损耗区比较大

原理图我看了，与MOS型号没关系，主要还是过流保护延时引起的，3.6MS，时间太长了，意见：一，358不适合做过流，建议改成393；二，过流要快，中间不要加放大电路，加了会延时。一般电流检测直接进过流保护，中间不加放大电路；3，时间从过流到393变低，时间做好控制在1US左右，否则堵转就烧，这些是经验。如果时间控制在1US左右还烧，我再给你方法；

设计的电路不对呀，电流反馈不对，想做好要用H桥。