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INN3377C设计的40W快充充电器

         InnoSwitch3-Pro电源开发板RDK-641采用开关芯片INN3377C–H301，最大输出功率40W，开发板设计有单片机PIC16F18325，用于与外部接口的连接。输入电源为85～265VAC，输出可实现3～8V/5A，或者8～20V，40W的恒功率输出,具备PPS电压档位以及支持多种快充协议,可以满足日常快充需求。输入具有过压欠压保护，输出具有过压过流及短路保护。通过这个InnoSwitch3-Pro开发新的电源不需要重新制作硬件，或者只需要更换少量元件，可以立即修改电源参数，验证设计方案，大大缩短开发周期，节省开发成本。还有PI还提供了在线的设计工具->PI Expert Online可以非常高效且快速的生成电源工程项目，实现项目高效的管理和设计应用。

         对于小功率30W以内的小功率PD等快充而言，可以选用内置MOS芯片，兼顾性能和成本。而对于45W、65W、100W等中高功率的PD快充而言，PI也有内置氮化镓功率器件的PowiGaN芯片。

INN3377C封装图：

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dbg_ux
LV.9
2
2022-02-12 20:39

InnoSwitch3-Pro系列开关芯片，带有通用数字通信接口I2C，能够动态调整输出电压和电流，灵活设置保护阈值，远程监测电源参数。

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trllgh
LV.9
3
2022-02-12 20:48
@dbg_ux
InnoSwitch3-Pro系列开关芯片，带有通用数字通信接口I2C，能够动态调整输出电压和电流，灵活设置保护阈值，远程监测电源参数。

集成了3.6V电源，可为外部微控制器(MCU)供电，这样就不用再单独为单片机设计供电电路。

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大海的儿子
LV.10
4
2022-02-12 20:52

内部集成了PowiGaN，耐压 750 V，可以输出功率最大100 W且无需散热片。

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kckcll
LV.9
5
2022-02-12 21:03
@大海的儿子
内部集成了PowiGaN，耐压750V，可以输出功率最大100W且无需散热片。

所以无需额外的散热设计，可以最小化缩小外壳，也就是提高电源的高密度电源。

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xxbw6868
LV.9
6
2022-02-12 22:42

INN3377C集成度高，集成了多模式准谐振(QR)/DCM/CCM反激式控制器、高压开关、次级侧检测和同步整流驱动器。

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spowergg
LV.9
7
2022-02-12 22:48
@xxbw6868
INN3377C集成度高，集成了多模式准谐振(QR)/DCM/CCM反激式控制器、高压开关、次级侧检测和同步整流驱动器。

多模式准谐振可在所有输入电压及负载下实现效率的优化，平均效率高。

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大海的儿子
LV.10
8
2022-02-13 11:35
@trllgh
集成了3.6V电源，可为外部微控制器(MCU)供电，这样就不用再单独为单片机设计供电电路。

这样可以搭配InnoSwitch3-Pro的数字接口进行数字调压，满足USB PD3.0 PPS快充输出。

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大海的儿子
LV.10
9
2022-02-13 11:36
@spowergg
多模式准谐振可在所有输入电压及负载下实现效率的优化，平均效率高。

InnoSwitch3-Pro系列芯片内置SenseFET无损检测电路，相比传统分立器件的原边检测能够降低损耗，提升效率。

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dbg_ux
LV.9
10
2022-02-13 12:06
@kckcll
所以无需额外的散热设计，可以最小化缩小外壳，也就是提高电源的高密度电源。

使用PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管，从而降低开关损耗。

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dbg_ux
LV.9
11
2022-02-13 12:07
@大海的儿子
InnoSwitch3-Pro系列芯片内置SenseFET无损检测电路，相比传统分立器件的原边检测能够降低损耗，提升效率。

同时为了让每个器件达到最佳的性能，该芯片还集成了FluxLink技术，可以实现初级和次级的实时通信。

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trllgh
LV.9
12
2022-02-13 12:12
@大海的儿子
这样可以搭配InnoSwitch3-Pro的数字接口进行数字调压，满足USBPD3.0PPS快充输出。

在应用过程中只需要搭配一些必要的被动元器件和协议芯片，即可完成高性能快充产品的设计。

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kckcll
LV.9
13
2022-02-13 12:26
@dbg_ux
同时为了让每个器件达到最佳的性能，该芯片还集成了FluxLink技术，可以实现初级和次级的实时通信。

通过次级控制器控制原边的开关，最大程度的控制同步整流MOS导通时间，实现最高效率。

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kckcll
LV.9
14
2022-02-13 12:26
@dbg_ux
使用PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管，从而降低开关损耗。

和硅器件相比，PowiGaN产品可实现体积更小，重量更轻，效率更高的充电器，适配器和敞开式电源。

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svs101
LV.8
15
2022-02-14 16:47

INN3377设计的电源可以搭配协议识别芯片实现大功率多型号终端负载的应用。

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svs101
LV.8
16
2022-02-14 16:49
@dbg_ux
使用PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管，从而降低开关损耗。

inn3377初级和次级之间的精确通信确保了次级侧同步整流MOSFET和初级侧开关MOSFET的精确控制。

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紫蝶
LV.9
17
2022-02-16 09:20
@trllgh
集成了3.6V电源，可为外部微控制器(MCU)供电，这样就不用再单独为单片机设计供电电路。

可以通过I2C接口控制，实现终端设备不同类型的匹配工作。

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紫蝶
LV.9
18
2022-02-16 09:21
@dbg_ux
使用PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管，从而降低开关损耗。

开关损耗在工作频率比较高的时候还是不能忽视的，需要确保效率及功耗低。

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svs101
LV.8
19
2022-02-16 18:13

PCB设计的比较紧凑，而且尺寸也小。PI的这个独特封装利于散热及过流。

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svs101
LV.8
20
2022-02-16 18:14
@大海的儿子
InnoSwitch3-Pro系列芯片内置SenseFET无损检测电路，相比传统分立器件的原边检测能够降低损耗，提升效率。

独立器件设计比较复杂，调试更加麻烦，器件差异会导致调试一致性比较差。

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svs101
LV.8
21
2022-02-16 18:14
@大海的儿子
InnoSwitch3-Pro系列芯片内置SenseFET无损检测电路，相比传统分立器件的原边检测能够降低损耗，提升效率。

因此，芯片的集成度高，产品的设计、调试就简单，一致性有保证的。

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cmdz002
LV.5
22
2022-02-20 10:01

PI还提供了在线的设计工具->PI Expert Online可以非常高效且快速的生成电源工程项目，实现项目高效的管理和设计应用

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XHH9062
LV.8
23
2022-02-21 10:49

集成方案节约外围电路空间，如何规避热设计

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鲁珀特
LV.4
24
2022-02-21 14:36

快充输出较大功率的本质是在相同的载流导线上，做了升降压处理，是这样理解的吗？

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tanb006
LV.10
25
2022-02-21 22:07

这种封装看似集成度搞，但可替换性太差，如果原厂一旦缺货，都找不到第二家可以脚对脚代替的零件。

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天晴朗
LV.6
26
2022-02-22 22:16

输入具有过压欠压保护，输出具有过压过流及短路保护

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小燕纸
LV.4
27
2022-02-23 22:26

内置MOS芯片，减小了选型，Layout设计和寄生参数影响，兼顾性能和成本

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xxbw6868
LV.9
28
2022-08-16 19:34
@xxbw6868
INN3377C集成度高，集成了多模式准谐振(QR)/DCM/CCM反激式控制器、高压开关、次级侧检测和同步整流驱动器。

使用谐振开关来消除开关转换期间发生的损耗，甚至可以比最佳的反激式设计所实现的效率还要高出至少2%

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xxbw6868
LV.9
29
2022-08-16 19:36
@trllgh
在应用过程中只需要搭配一些必要的被动元器件和协议芯片，即可完成高性能快充产品的设计。

器件支持快速充电和 USB PD 设计等应用所需的闭锁和自动重启等常见功能组合。

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黑夜公爵
LV.10
30
2022-10-20 21:06
@大海的儿子
InnoSwitch3-Pro系列芯片内置SenseFET无损检测电路，相比传统分立器件的原边检测能够降低损耗，提升效率。

电源的输出电压在指定的时间内不能达到稳压，PI芯片将进入自动重启动保护模式

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方笑尘MK
LV.6
31
2022-11-18 15:28

INN3377C这颗物料在40W时候发热严重吗，快充时候外壳要考虑散热吧？

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