PI的SiC驱动电路设计应该注意哪些问题？

SiC驱动需要驱动传输延时小，上升下降沿速度快，功率管的驱动电压选择要合适。

布线要注意电源抗干扰能力强.，因为驱动频率很高的话，这些都有影响。

SiC驱动还具有重要的保护功能，例如退饱和监控、原方和副方欠压保护以及高级软关断，保证产品的可靠运行。

芯片的SIC技术可以有效提示电源的功率，同时电源的体积比较小，尺寸也小。

PI的芯片都具有高度集成功能，多种保护功能，可以简化开发难度。

1.考核驱动芯片绝缘是否符合需求。

2.电气参数，例如门级最大电流需求，开关频率需求。

3.针对碳化硅，门级电压的选取要参考模块手册，设计相应电路 。

4.短路保护的电路设计，受母线电压，门级电压影响。

5.有源钳位保护设计需要考虑。

6.Layout阶段的副边电路布局也需要着重考虑，例如门极回路和短路保护检测回路。

碳化硅和氮化镓的价格都是制约其广泛被应用的主要原因，我们公司只有高端电源产品采用氮化镓和碳化硅的管子

碳化硅MOSFET的导通电阻较小，开关速度很快

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MoS管栅极高输入阻抗，一点点的干扰或者静电就会让MOS管误导通，所以对于降低输入阻抗一定要重点注意