• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

【亲测ROHM评估板 】罗姆碳化硅功率管评估板--开箱评测

首先,非常感谢电源网举办的“罗姆碳化硅功率管评估板免费试用活动”,也非常感激电源网-天边,从获知自己在试用名单中、邮寄评估板、到试用阶段等环节的诸多关心和帮助。由于前段时间笔记本显示屏出现花屏故障,通过申请三包的方式进行维修导致拿到笔记本的时间有点久,也在此表示抱歉,拖了这么久才发出我的开箱贴。

收到的评估板是由京东快递运送的,整体包装很好,贴了易碎的标识。


打开箱子后,可以看到评估板有单独的盒子包装,且外部有气泡袋包裹。



打开气泡袋后就可以看到罗姆碳化硅功率管评估板啦,盒子上粘贴了装有不同型号的SiC MOSFET小袋子,每个袋子里装了2只功率管。



下面是打开白色盒子后,拿到的评估板,盒子内部四周都有泡沫垫,评估板也采用防静电包装袋。不得不说的是,评估板在包装方面考虑的非常周到。四个小袋子里分别装了四种不同型号的功率管,SCT3060ALGSCT3040KLSCT3030ALSCT3060AL








全部回复(10)
正序查看
倒序查看
gxg1122
LV.10
2
2019-08-21 13:06
讲讲这个板子功能,期待后续评估板的测试数据分享。
0
回复
2019-08-21 21:00
看着这个评估版的设计还是相当巧妙的,布板紧凑。楼主的芯片快利用起来测试。
0
回复
kuamax123
LV.2
4
2019-09-11 19:35

Rohm评估板套件中提供的SiC MOSFET有四种型号,分别是SCT3060ALSCT3030ALSCT3040KLSCT3080KL,均是3pin的封装。

其中,SCT3060AL650V 39ANch SiC功率MOSFET,Rdson(Typ.) =60mΩ;

SCT3030AL650V 70ANch SiC功率MOSFET,Rdson(Typ.) =30mΩ;

SCT3040KL1200V 55ANch SiC功率MOSFET,Rdson(Typ.) =40mΩ;

SCT3080KL1200V 31ANch SiC功率MOSFET,Rdson(Typ.) =80mΩ。

具体器件datasheet可以从网站https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet输入相关型号可以搜索下载。

0
回复
kuamax123
LV.2
5
2019-09-11 19:37
@kuamax123
Rohm评估板套件中提供的SiCMOSFET有四种型号,分别是SCT3060AL、SCT3030AL、SCT3040KL、SCT3080KL,均是3pin的封装。其中,SCT3060AL是650V39A的NchSiC功率MOSFET,Rdson(Typ.)=60mΩ;SCT3030AL是650V70A的NchSiC功率MOSFET,Rdson(Typ.)=30mΩ;SCT3040KL是1200V55A的NchSiC功率MOSFET,Rdson(Typ.)=40mΩ;SCT3080KL是1200V31A的NchSiC功率MOSFET,Rdson(Typ.)=80mΩ。具体器件datasheet可以从网站https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet输入相关型号可以搜索下载。

0
回复
kuamax123
LV.2
6
2019-09-11 19:43
@kuamax123
[图片][图片]

下面简单说下评估板的驱动电路部分,栅极驱动电压是采用隔离反激式电源供给,其中,反激式电源采用的是去光耦控制芯片BD7F200EFJ


驱动电路原理图如下。




驱动芯片采用的是BM6101datasheet也可以从网站下载到,https://www.rohm.com.cn/products/power-management/gate-drivers/isolated-gate-drivers/bm6101fv-c-product




手册中分别列出了用于4pin3Pin功率开关器件的典型外围电路。



0
回复
kuamax123
LV.2
7
2019-09-11 19:43
@kuamax123
下面简单说下评估板的驱动电路部分,栅极驱动电压是采用隔离反激式电源供给,其中,反激式电源采用的是去光耦控制芯片BD7F200EFJ。[图片]驱动电路原理图如下。[图片]驱动芯片采用的是BM6101,datasheet也可以从网站下载到,https://www.rohm.com.cn/products/power-management/gate-drivers/isolated-gate-drivers/bm6101fv-c-product。[图片]手册中分别列出了用于4pin和3Pin功率开关器件的典型外围电路。[图片][图片]
相关的驱动测试结果,将在明天贴出来。
0
回复
其乐518
LV.2
8
2019-09-12 16:39
@kuamax123
[图片][图片]
还配了那么多MOS,是要替换MOS来测么?这样对比的效果会比较直观额,不错不错,可以学到很多东西
0
回复
kuamax123
LV.2
9
2019-09-12 22:20
@kuamax123
相关的驱动测试结果,将在明天贴出来。

做了一些简单的测试,HS端采用的是SCT3080型号的SiC MOSFET(GS端连接示波器第一通道),LS端采用的是SCT3030型号的SiC MOSFET(GS端连接示波器第二通道),可以看出,平均电压分别为-12.5V和-11.2V。后续将继续补充相关测试。

0
回复
kuamax123
LV.2
10
2019-09-17 22:47
@kuamax123
[图片][图片][图片]做了一些简单的测试,HS端采用的是SCT3080型号的SiCMOSFET(GS端连接示波器第一通道),LS端采用的是SCT3030型号的SiCMOSFET(GS端连接示波器第二通道),可以看出,平均电压分别为-12.5V和-11.2V。后续将继续补充相关测试。
依据手册中buck电路的工作测试方法进行连线,将ENABLE端与SGAND短接(即CN201端子的1号与2号短接),IN_CLK端外接信号发生器,外围电路只需简单的连线等操作就可实现。具体电路测试方法如下图。
0
回复
kuamax123
LV.2
11
2019-09-17 22:55
@kuamax123
依据手册中buck电路的工作测试方法进行连线,将ENABLE端与SGAND短接(即CN201端子的1号与2号短接),IN_CLK端外接信号发生器,外围电路只需简单的连线等操作就可实现。具体电路测试方法如下图。[图片]

HVDC与PGND两端连接直流电源,给评估板接通+12V电,测试得到相关结果如下图。



由此可以看出,MOS管的GS端驱动信号没有过多的ring效应,通电后的测试相对比较好。

后续将借用电子负载等仪器进一步完善补充多种不同电路的测试,如Boost,以及双脉冲等试验。


本次试用总结:

(1)罗姆评估板采用四层板设计,留有相应的测试接口,手册介绍很详细;

(2)评估板可搭建不同拓扑结构的测试电路进行验证,如buck,Boost,只需简单搭建即可完成;

(3)提供了多种不同型号的SiC MOSFET,可进行对比测试;

(4)不足之处,或者在后续为方便替换不同型号功率开关器件,可将 GDS引脚接端子排的方式,方便器件插拔。

0
回复