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富士通 2017-12-14
| 咨询：周花孟 | 防雷击效果怎样？遥想当初温州动车事故，貌似就是车上一个什么零件被打坏了。。 |
| 回复：Longly |
防雷需要从产品的整体设计上来考虑, 考察单一芯片的防雷击效果意义不大. |
| 咨询：yanggeng | 导致汽车电子电路故障的主要原因？ |
| 回复：冯逸新 |
对不去，我司只是个存储器的供应商，不能回答您的提问。不过到目前为止，还没听过由于FRAM存储器的问题而导致电路故障。 |
| 咨询：linghz | FRAM（铁电存储器）有没有产品手册？ |
| 回复：冯逸新 |
我们有，可以访问贵司时带给您，或者你可以FRAM官网里下载电子版的手册，谢谢您的关注。 http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/overview/brochure/index.html |
| 咨询：maxiaohua | 富士通专业做存储器的，现在存储器的瓶颈有哪些？为什么现在内存条价格升的这么快？ |
| 回复：冯逸新 |
现在存储器的瓶颈或许因技术不同而不同吧，您说的价格上升是一些NOR,NAND Flash存储供货短缺而造成的价格上涨吧？我司的FRAM目前没有供货短缺，过去，现在和未来不会有价格上涨问题出现。 |
| 咨询：林鸿彬 | FRAM是不会失内存还是几率低？ |
| 回复：冯逸新 |
FRAM的动作原理与传统存储器不同，不会有您所说的失去内存的问题。 |
| 咨询：olmand | 这种存储器用在玩具上还有价格优势吗？ |
| 回复：冯逸新 |
关键客户所追求的性价比是什么。 在日本的pachinko的call lamp，台间机，graphic board等方面有应用。 还有在美国的赌博机，涉及到处理硬币或纸币的模块应用中，客户更多的会采用FRAM，而不是耐久性和可靠性差的EEPROM或flash。 |
| 咨询：feiyangziwo | 1，在电源断电前，电压降到多少伏还可以进行存写， 2，在高干扰的工业环境下怎么样确保读写正常， |
| 回复：冯逸新 |
1.电压降到1.8Ｖ也可以进行存写。 2.请问你具体指什么高干扰？只要确保FRAM动作的电压条件下，都可以确保读写正常吧。 |
| 咨询：ta7698 | 请问这种存储器在产品中应用比其它类的存储器会增加产品的成本吗？ |
| 回复：冯逸新 |
FRAM是高性能存储器(高速，随机写入，高读写耐久性），所以在制造工艺成本上，比传统的EEPROM和FLASH要复杂很多，自然在售价上比这些传统产品稍高一些。关键是客户是否需要高性能的FRAM与否，或者说是性价比吧。 |
| 咨询：huangshifu727 | FRAM和其它非易失性存储器制造技术相比，铁电存储器在性能方面有什么不同吗?在恶劣的高磁环境中同样也有优势吗？ |
| 回复：冯逸新 |
FRAM相对传统存储器的有点是 1.随机写入。写入数据前不需要擦去扇区的数据 2.高速。速度是EEPROM的3000倍快 3.低功耗；写入64byte的数据，仅仅是EEPROM的400分之一。 4.读写次数接近无限次：10万亿次。EEPROM只有10万次 FRAM还有一个优点是不受磁场电磁干扰，这也是强于MRAM的一个特点。 |
| 咨询：wuyh123 | 富士通铁电价格怎么样。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 |
| 回复：冯逸新 |
FRAM是高性能存储器(高速，随机写入，高读写耐久性），所以在制造工艺成本上，比传统的EEPROM和FLASH要复杂很多，自然在售价上比这些传统产品稍高一些。关键是客户是否需要高性能的FRAM与否，或者说是性价比吧。 |
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