正激与反激的区别

是不是可以这样理解：

反激变换器相当于耦合电感，在DT期间是初级电感储能，磁化电感就为初级电感值，初级电流值即为励磁电流。在（1-D）T期间，初级电感的能量释放，励磁电流储能释放，因此不需要增加辅助的复位电路来防止磁芯饱和？？

请多指教，谢谢。

正激的磁通复位和反激的吸收电路是不同的作用

如果反激里能保证耦合很好 没有漏感也是可以不加吸收电路的

反激的输出绕组就是复位绕组，复位的意思就是反向励磁。

磁性元件以真正的变压器方式工作的拓扑，要么加复位电路，要么进行双向励磁（如半桥、全桥、推挽等）；

磁性元件以电感方式工作的拓扑（如BUCK、反激等），其励磁时间就是TON，复位时间就是TOFF，属于自动复位。

变压器为什么进行复位？(以下是我的理解，应该没错)

1、理想的变压器只是进行变压，自身不会存储来自电网中的能量。

    因为理想的变压器LP为无穷大，不储能。

2、实际的变压器LP不可能太大，总会有一个实际值。那么，在TON时间，

    输入电压VIN必然会对此LP进行充电，储存能量的大小与TON、VIN、LP有关。在TOFF时间，由于正激次级二极管的接线方式，导致已经储存在LP中的能量无法从次级输出，只能进行自身强行复位（电感放电，电压反向），导致功率元件损坏。如果储存的能量很小（LP很大），其实一般的正激产品没有复位绕组也可以工作（靠分布参数转移能量，自动复位）。

实际的正激变压器可以理解为理想的变压器与一个实际的电感器并联。

如果还没有明白，建议你研究一下双管正激的工作原理。

另外，还有一种正反激组合变换器，刚好就利用了正激变压器中实际存在的LP，储存在LP中的能量没有回馈至电网，而是送到了输出。

这两种拓扑本质上是不同的

1、理论上说，如果正激变压器是理想的，那么，磁芯的大小不影响功率传输。

2、原理上，当初级MOS管关断的时候，理想的正激变压器中的磁通只有一点剩磁，磁场强度是零。而反激就算是理想的，那个变压器中的磁通依然是从大到小的变化，H依然跟次级电流相关。

3、实际应用中，正激变压器初级的电路，一个作用是吸收漏感的能量，这是变压器不理想引起的，另一个作用是使变压器励磁电流减小，从而使B值下降到一个程度，这个是理论上就需要的，也就是说必须要加。B值下降到什么程度，跟采用的复位方式有关系，也跟电路参数有关系。或者说存在于励磁电感里的能量要有释放的途径。

4、理论上，忽略漏感，正激变压器可以等效为两个器件，一个理想变压器，一个是初级等效电感，励磁电流就是一个跟初级等效电感相关的参数，这个很难在论坛上表达清楚。

5、反激我不是很熟，你在三楼的理解似乎也可以，但是我一般认为能量在开通时存储在磁芯里，关通时，向次级释放，而正激是在开通期间，就把能量传到了后级。四楼的兄弟说的就理想情况。

   表达有点乱，主要是磁学是一个很难部分，我水平有限，希望能帮到你

我看了一下6楼兄弟的意见，关于正激，变压器复位和正激变压器等效，我跟这个凡兄弟的意见是一致的，而且凡兄弟表达的更清楚。

     正激复位的作用我认为:在某个稳定状态下，复位使得变压器在开通时，B值都是同样大小。

     请凡兄弟指正，我不知道怎么表达更好理解。

我没有做多少正激，都是书上的些东西。

“1、理论上说，如果正激变压器是理想的，那么，磁芯的大小不影响功率传输。”

这一条比较经典。

复位本来就是使B回到初始值（不考虑剩磁等），不管磁通怎么变化，只要满足复位的基本公式：VIN*TON=VOR*TOFF就行了。至于D大于、小于还是等于0.5都无所谓，只要能够保证有安全可靠的复位时间。

很多量不必深入研究。我们已经知道的量VIN、TON、LP等均是定值。所有的量都可以算出来，仅从原理上分析普通的正激要比反激简单很多，计算也更方便。

谢谢各位高手的指导。，让我对正反激变压器有了感性的认识：

正激变压器是理想的，不储能，但是由于励磁电感（Lp）是有限值，励磁电流使得磁芯B会大，为避免磁通饱和，变压需要辅助绕组进行磁通复位；                                         反激变压器工作形式可以看做耦合电感;电感先储能，再放能。由于反激变压器的输入、输出电压极性相反，固当开关管断开之后，次级可以提供磁芯一个复位电压，因而反激变压器不需额外增加磁通复位绕组。

正激变压器之所以不存能是因为，次级的设计，输入输出电压同极性，开关管导通期间可以实现能量完整的流通路径。                                                                                          

在反激变换器当中，有的文献指出，励磁电感即为初级电感值，而正激变压器的励磁电感值和正激变压器初级电感值有何关系呢？还请高手做进步一解释。。。。

1、正激励磁电感就是初级电感，二者只是称呼不同；

2、反激开气隙的目的有以下原因：

     A，磁芯及NP一定时，改变LP的方法只有气隙（为了获得精确的LP）；

          理论上讲，DCM模式设计，与气隙大小无关，但磁芯并不是理想的（无气隙磁芯的LP非常大）

     B，CCM模式设计，原边电感电流的直流成分于与气隙有很大的关系（与磁路的有效长度有关）；