有关MOSFET驱动问题

看来好心人还是少..

MOSFET是电压性驱动元件, 不需要大电流驱动,但由于存在结电容, 每个开关周期都需要对结电容Ciss,Cgd充放电, 串联在栅极的电阻大小, 就决定了对结电容充和放电速度. 电阻小的话,就充放电峰值电流大, 开关速度快. MOSFET的开关损耗小. 但是EMI一般会变差. 同时要注意驱动电路元件的电流使用率会高. 反之亦然.

所以这个串联电阻跟驱动电压, 结电容, 驱动电路元件载流能力是相关的, 一般取4.7-100ohm.

至于, G和S间的并联电阻, 是针对MOSFET的G和S间的高输入阻抗而加的, 因为高阻抗相对于空间寄生电容来说, 也可能藕合到足够高的NOISE信号在G和S上.这个NOISE信号有可能异常开通MOSFET. 假如驱动电路在关断的时候不能保证把G用低阻抗拉到S, 就需要这个电阻了. 另外, 这个电阻也可以防止静态不通电时的ESD损坏. 这个电阻一般取10K-100Kohm.

其实,这些是基础的知识, 你可以再看下<<模拟电子技术基础>>这本书.

1：“缓冲”电阻，2个作用，减缓驱动器的电流上升速率和减慢MOS的开通时间，这2件事都是为了减低EMI（对于硬开关而言）,但代价是减低了效率，显然电阻也越大该环节的EMC越好，损耗也越大，掂量着用就是了，一般在数Ω到数十欧姆选用（很多情况下在电阻2端并一个反向二极管以加速MOS的关断）。选用低Qg的MOS可以减少这个电阻的困扰。

2：放电电阻，保证MOS在工作之前栅极的静电被泄放，以避免上电时MOS因静电处于导通（非控制的）状态而带来灾祸（炸机），这个电阻万万不可忽视，一般在10k-100k选用。

其他楼下补充

学习了.谢谢

谢谢了，，以前只知道选用，不知道作用是什么。现在知道了。谢谢

谢谢，

以前只知道选用多大的。而不知道作用，谢谢！

其实,这些是基础的知识, 你可以再看下<<模拟电子技术基础>>这本书.

这本书上没有这些吧。。。。。。。。。。

给你参考下。

关于MOSFET驱动电阻的选择

等效驱动电路：

L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。

Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。

Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。

VL+VRg+VCgs=12V

令驱动电流

得到关于Cgs上的驱动电压微分方程：

用拉普拉斯变换得到变换函数：

这是个3阶系统，当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形，这是我们不希望看到的，因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状态，考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。

根据以上得到 ，因此根据走线长度可以得到Rg最小取值范围。

分别考虑20m长m和70mm长的走线： L20=30nH，L70=80nH， 则Rg20=8.94Ω，Rg70=17.89Ω，

以下分别是电压电流波形：

驱动电压：

驱动电流：

可以看到当Rg比较小时驱动电压上冲会比较高，震荡比较多，L越大越明显，此时会对MOSFET及其他器件性能产生影响。但是阻值过大时驱动波形上升比较慢，当MOSFET有较大电流通过时会有不利影响。

此外也要看到，当L比较小时，此时驱动电流的峰值比较大，而一般IC的驱动电流输出能力都是有一定限制的，当实际驱动电流达到IC输出的最大值时，此时IC输出相当于一个恒流源，对Cgs线性充电，驱动电压波形的上升率会变慢。电流曲线就可能如左图所示（此时由于电流不变，电感不起作用）。这样可能会对IC的可靠性产生影响，电压波形上升段可能会产生一个小的台阶或毛刺。

       一般IC的PWM OUT输出如左图所示，内部集成了限流电阻Rsource和Rsink，通常Rsource>Rsink，具体数值大小同IC的峰值驱动输出能力有关，可以近似认为R=Vcc/Ipeak。一般IC的驱动输出能力在0.5A左右，因此Rsource在20Ω左右。

       由前面的电压电流曲线可以看到一般的应用中IC的驱动可以直接驱动MOSFET，但是考虑到通常驱动走线不是直线，感量可能会更大，并且为了防止外部干扰，还是要使用Rg驱动电阻进行抑制。考虑到走线分布电容的影响，这个电阻要尽量靠近MOSFET的栅极。

关于Rg、L对于上升时间的影响：(Cgs=1nF，VCgs=0.9*Vdrive)

可以看到L对上升时间的影响比较小，主要还是Rg影响比较大。上升时间可以用2*Rg*Cgs来近似估算，通常上升时间小于导通时间的二十分之一时，MOSFET开关导通时的损耗不致于会太大造成发热问题，因此当MOSFET的最小导通时间确定后Rg最大值也就确定了 ，一般Rg在取值范围内越小越好，但是考虑EMI的话可以适当取大。

       以上讨论的是MOSFET ON状态时电阻的选择，在MOSFET OFF状态时为了保证栅极电荷快速泻放，此时阻值要尽量小，这也是Rsink的原因。通常为了保证快速泻放，在Rg上可以并联一个二极管。当泻放电阻过小，由于走线电感的原因也会引起谐振（因此有些应用中也会在这个二极管上串一个小电阻），但是由于二极管的反向电流不导通，此时Rg又参与反向谐振回路，因此可以抑制反向谐振的尖峰。这个二极管通常使用高频小信号管1N4148。

实际使用中还要考虑MOSFET栅漏极还有个电容Cgd的影响，MOSFET ON时Rg还要对Cgd充电，会改变电压上升斜率，OFF时VCC会通过Cgd向Cgs充电，此时必须保证Cgs上的电荷快速放掉，否则会导致MOSFET的异常导通。

说的不错，学习了。

驱动信号到G之间有个引线电感，和GS之间的电容之间形成LC震荡，所以要加R来阻尼这个震荡

谢谢分享。