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有谁知道用什么方法产生快速脉冲发生器?脉冲上升时间〈15nS

有谁知道用什么方法产生快速脉冲发生器?要求:脉冲上升时间〈15nS
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xuzhx
LV.4
2
2005-07-22 11:37
电压,脉宽,频率,电流各是多少?
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莫等闲
LV.5
3
2005-07-22 11:46
@xuzhx
电压,脉宽,频率,电流各是多少?
电压5~12V,脉宽窄点好.频率约几十K,脉冲的峰值电流能达到0.5A最好了.
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莫等闲
LV.5
4
2005-07-22 11:53
@xuzhx
电压,脉宽,频率,电流各是多少?
我有用NE555做了个脉冲发生器,频率约60K,脉宽5%,但其脉冲上升时间>100nS,
后来又在后级加了74HC14,虽然脉冲上升时间降低至约30nS, 但74HC14的输出驱动太差,加了互补的三极管以加强其驱动能力,却连这三极管都驱动不了,连输出波形都畸变了,脉冲上升时间又上升至约100nS
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xuzhx
LV.4
5
2005-07-22 12:09
@莫等闲
我有用NE555做了个脉冲发生器,频率约60K,脉宽5%,但其脉冲上升时间>100nS,后来又在后级加了74HC14,虽然脉冲上升时间降低至约30nS,但74HC14的输出驱动太差,加了互补的三极管以加强其驱动能力,却连这三极管都驱动不了,连输出波形都畸变了,脉冲上升时间又上升至约100nS
用一片IXDN404或DS0026或好多MOSFET的低端驱动片子都可以搞定,只要负载容性不大的话.
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莫等闲
LV.5
6
2005-07-22 13:57
@xuzhx
用一片IXDN404或DS0026或好多MOSFET的低端驱动片子都可以搞定,只要负载容性不大的话.
谢了.IXD404对我而言是很陌生的片子.我短时间内也没法弄到.
若要用MOS的驱动IC,我还不如选用常用的.
至于DS0026,我看了一下其datasheet,虽输出电流大,但输出脉冲上升时间还不如74HC14.
不过还是谢谢.
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莫等闲
LV.5
7
2005-07-22 14:00
@xuzhx
用一片IXDN404或DS0026或好多MOSFET的低端驱动片子都可以搞定,只要负载容性不大的话.
其他高手们还没有建议啊----
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xuzhx
LV.4
8
2005-07-22 14:40
@莫等闲
谢了.IXD404对我而言是很陌生的片子.我短时间内也没法弄到.若要用MOS的驱动IC,我还不如选用常用的.至于DS0026,我看了一下其datasheet,虽输出电流大,但输出脉冲上升时间还不如74HC14.不过还是谢谢.
请注意你的负载,VCC=15V,DS0026在负载容性小于200PF的时候,上升沿可在8ns左右,如果两路并联,则容性可增至400PF.而你的74hc14在负载电容15PF,VCC=5V时,上升沿在12ns左右.不在相同条件下比较是没有意义的,随便找个ACT型的如果负载电阻和电容不重的情况下,都是高速上升和下降沿.
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莫等闲
LV.5
9
2005-07-22 15:26
@xuzhx
请注意你的负载,VCC=15V,DS0026在负载容性小于200PF的时候,上升沿可在8ns左右,如果两路并联,则容性可增至400PF.而你的74hc14在负载电容15PF,VCC=5V时,上升沿在12ns左右.不在相同条件下比较是没有意义的,随便找个ACT型的如果负载电阻和电容不重的情况下,都是高速上升和下降沿.
哦,知道了.谢谢了.
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xuzhx
LV.4
10
2005-07-22 15:35
@莫等闲
哦,知道了.谢谢了.
我做过电压为4KV,频率为10KHZ,负载为100PF,上升沿为5ns的脉冲发生器,鉴于是商业机密,不能把图公布.
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027dnnl
LV.4
11
2005-07-23 16:11
@莫等闲
电压5~12V,脉宽窄点好.频率约几十K,脉冲的峰值电流能达到0.5A最好了.
13591045  一个关于电源应用、开发的QQ群,任何有关电源方面产品的朋友可以入内发言交流经验共享资源
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剑心
LV.8
12
2005-07-23 22:19
@莫等闲
其他高手们还没有建议啊----
你做的东西就用一个比较悍一些的高速栅驱动IC,MAXIM、TI、IR的都行.
至于4KV的那个东西是完全不同的概念,用雪崩晶体管一类东西的.
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莫等闲
LV.5
13
2005-07-25 13:44
@剑心
你做的东西就用一个比较悍一些的高速栅驱动IC,MAXIM、TI、IR的都行.至于4KV的那个东西是完全不同的概念,用雪崩晶体管一类东西的.
OK,我先自己试一试,有具体问题再像你请教,OK?
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