• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

深爱13005

有谁对深爱13005了解,说说怎么样
全部回复(22)
正序查看
倒序查看
k432613
LV.7
2
2005-07-03 08:12
不杂的,
0
回复
ansico
LV.4
3
2005-07-04 13:02
你是需要还是出售?
0
回复
jmbgood
LV.4
4
2005-07-04 14:01
华微的一款"新13005K"产品,开关时间快,性能较好,可与仙童的毗美!我做过对比实验.现已经批量生产,几个大厂已经开始用了,效果很好,
0
回复
component
LV.4
5
2005-07-05 08:14
还不错.我已经用过很多,能做到实测功率70W.IC好像5A.
0
回复
hgg761010
LV.2
6
2005-07-05 18:31
不错不错哈哈!!!
0
回复
wolf
LV.4
7
2005-07-05 20:08
@jmbgood
华微的一款"新13005K"产品,开关时间快,性能较好,可与仙童的毗美!我做过对比实验.现已经批量生产,几个大厂已经开始用了,效果很好,
他们的一个业务员透露,目前质量还不稳定.
0
回复
ansico
LV.4
8
2005-07-06 08:31
@component
还不错.我已经用过很多,能做到实测功率70W.IC好像5A.
这位兄弟不知道跟楼主是什么关系?要帮人顶也不用这样嘛,也太是显了.
0
回复
msxxl
LV.4
9
2005-07-06 11:25
正规Motorala 的MJE13003面积2.8*2.8,现在无论是深爱还是吉半华微的管子面积有它一半就算可以了!质量都是半斤八两,但我知道管子的毛利都在35%以上,暴利了.
所以华微上市去年尽赚5干万,深爱有本钱投两个亿在关外盖新厂.寻总,曹总,秦明副总现在神气着呢!深爱,吉半华微的制造技术是63年使用最低价三重扩散工艺,最主要缺点是饱和压降大3倍,大开关时间长,当然也有一个优点,由于是单晶,耐击穿能力稍强.只配作5元以下EB.
但欧美的EB都不用Bibolar transistor,而用VDMOS.
0
回复
msxxl
LV.4
10
2005-07-06 11:29
@msxxl
正规Motorala的MJE13003面积2.8*2.8,现在无论是深爱还是吉半华微的管子面积有它一半就算可以了!质量都是半斤八两,但我知道管子的毛利都在35%以上,暴利了.所以华微上市去年尽赚5干万,深爱有本钱投两个亿在关外盖新厂.寻总,曹总,秦明副总现在神气着呢!深爱,吉半华微的制造技术是63年使用最低价三重扩散工艺,最主要缺点是饱和压降大3倍,大开关时间长,当然也有一个优点,由于是单晶,耐击穿能力稍强.只配作5元以下EB.但欧美的EB都不用Bibolartransistor,而用VDMOS.
小厂的器件制造工艺和它们是一样,所用设备完全一样,当然小厂的量小叫小厂,但价廉啊!
0
回复
msxxl
LV.4
11
2005-07-06 11:32
@msxxl
正规Motorala的MJE13003面积2.8*2.8,现在无论是深爱还是吉半华微的管子面积有它一半就算可以了!质量都是半斤八两,但我知道管子的毛利都在35%以上,暴利了.所以华微上市去年尽赚5干万,深爱有本钱投两个亿在关外盖新厂.寻总,曹总,秦明副总现在神气着呢!深爱,吉半华微的制造技术是63年使用最低价三重扩散工艺,最主要缺点是饱和压降大3倍,大开关时间长,当然也有一个优点,由于是单晶,耐击穿能力稍强.只配作5元以下EB.但欧美的EB都不用Bibolartransistor,而用VDMOS.
深爱,吉半华微都是国外不要了的垃圾旧!
说新生产线无锡华晶是的.水平最高.
0
回复
msxxl
LV.4
12
2005-07-06 11:37
@msxxl
正规Motorala的MJE13003面积2.8*2.8,现在无论是深爱还是吉半华微的管子面积有它一半就算可以了!质量都是半斤八两,但我知道管子的毛利都在35%以上,暴利了.所以华微上市去年尽赚5干万,深爱有本钱投两个亿在关外盖新厂.寻总,曹总,秦明副总现在神气着呢!深爱,吉半华微的制造技术是63年使用最低价三重扩散工艺,最主要缺点是饱和压降大3倍,大开关时间长,当然也有一个优点,由于是单晶,耐击穿能力稍强.只配作5元以下EB.但欧美的EB都不用Bibolartransistor,而用VDMOS.
寻总,秦明一群说着大话表面老实无聊北方佬
0
回复
xiaohan
LV.4
13
2005-07-06 15:28
@msxxl
寻总,秦明一群说着大话表面老实无聊北方佬
国产仙童的管子怎么样
0
回复
2005-07-06 15:53
@xiaohan
国产仙童的管子怎么样
中国电源情报网改版了,
论坛在招斑竹.
快去看看
0
回复
兵哥
LV.6
15
2005-07-06 16:01
都是TMD垃圾管子,而且每个业务员牛的要死.给做节能灯行业的朋友们选择的余地真TMD小,不要怪我骂人,这是事实.
0
回复
ansico
LV.4
16
2005-07-06 16:38
@兵哥
都是TMD垃圾管子,而且每个业务员牛的要死.给做节能灯行业的朋友们选择的余地真TMD小,不要怪我骂人,这是事实.
兄弟你也牛的很哟,不晓得你在哪儿做灯啊.
0
回复
yiren-yi
LV.5
17
2005-07-07 13:32
目前,国产的13005产品在节能灯和电子镇流器电子变压器市场应用的很广泛.深爱的管子采用的是SIPOS平面工艺,华微的管子采用的是磷硅玻璃加终端截止环的工艺.电流能力都是5A.时间参数上基本都在2-6us范围内.最重要的是看怎么用.做一体灯可以做到45W.做电子镇流器可以做到55W.做电子变压器可以做到70W.
0
回复
msxxl
LV.4
18
2005-07-08 15:05
@yiren-yi
目前,国产的13005产品在节能灯和电子镇流器电子变压器市场应用的很广泛.深爱的管子采用的是SIPOS平面工艺,华微的管子采用的是磷硅玻璃加终端截止环的工艺.电流能力都是5A.时间参数上基本都在2-6us范围内.最重要的是看怎么用.做一体灯可以做到45W.做电子镇流器可以做到55W.做电子变压器可以做到70W.
无论是用SIPOS(一种半绝缘掺氧多晶硅薄膜,技术来源自中科院半导体所),还是磷硅玻璃都只能叫钝化膜,叫一种加工技术不妥, SIPOS,终端截止环.目的只是减弱BJT的表面电场,从而达到提高耐压BVceo的目的,对其它交直流参数无影响,不用也行.另外SIPOS使漏电流成量级增加,这是一大忌讳,国外大公司用在发热的功率器件甚少.幸好EB不值钱少计较!
0
回复
2005-07-08 15:52
@msxxl
无论是用SIPOS(一种半绝缘掺氧多晶硅薄膜,技术来源自中科院半导体所),还是磷硅玻璃都只能叫钝化膜,叫一种加工技术不妥,SIPOS,终端截止环.目的只是减弱BJT的表面电场,从而达到提高耐压BVceo的目的,对其它交直流参数无影响,不用也行.另外SIPOS使漏电流成量级增加,这是一大忌讳,国外大公司用在发热的功率器件甚少.幸好EB不值钱少计较!
~~~~~~~L03N60用过吗怎么样...刚接到样品...
你推荐一款给大家试试...你肯定是三极管公司的吧.讲的好清楚
0
回复
msxxl
LV.4
20
2005-07-08 17:41
@黑暗侵袭
~~~~~~~L03N60用过吗怎么样...刚接到样品...你推荐一款给大家试试...你肯定是三极管公司的吧.讲的好清楚
谢谢您的鼓励!再在这儿闹闹!
   国外一流EB都用VDMOS,驱动用IR,Philiph, Moto专用高压浮电位和驱动器如IR2151等,这种SPIC加工设计工艺太难,以至韩国.日本.台湾都无类似产品,像样点的半桥都用IC驱动变压器工作,纯用一个磁环驱动工作方式是中国特色,78年有关EB的第一篇文章就是这样,成本低啊!
   深爱,吉半华微对这些非常清楚,所以他们一直花大本钱开展VDMOS研发生产!本人所知,国内中科皖半导体所(有8个学部委员),华晶,上海新进,华越刚能批量生产这玩意.深爱,吉半华微还有相当距离!
   同一种型号同一生产厂家,同一生产批功率BJT的toff时间参数上基本都在2-6us范围内,这句话非常内行,实际上国外厂家能控制toff时间参数在75%范围,而国内能控制toff时间参数在100%范围算好的了!
   学过功率电子学的朋友都知道,半桥一定要留有死区时间dead time以防共导通!而EB工作于40-50KHZ频率T在20us左右,想想看toff时间参数在2-6us范围内实在可怕!当然Toff由Td和tf构成,tf在0.5-1us右左,
  这位朋友L03N60,估计应该是N沟Power MOS,3A/600V,用在40WEB可以.如果是POWER BJT,效果大同小异,要降低Bjt的结温,选择关断时间Tf小的BJT最好!
  如果有朋友要为难这些牛B的推销员,拿toff时间参数对付他,他一定送钱给您!
不知这位朋友满意不!I do not feel well this time.顶一下好吗!
0
回复
msxxl
LV.4
21
2005-07-08 18:16
@黑暗侵袭
~~~~~~~L03N60用过吗怎么样...刚接到样品...你推荐一款给大家试试...你肯定是三极管公司的吧.讲的好清楚
如果是POWER BJT,国产那家效果都是大同小异,半斤八两!你感觉好就行!
0
回复
2005-07-08 19:58
@msxxl
谢谢您的鼓励!再在这儿闹闹!  国外一流EB都用VDMOS,驱动用IR,Philiph,Moto专用高压浮电位和驱动器如IR2151等,这种SPIC加工设计工艺太难,以至韩国.日本.台湾都无类似产品,像样点的半桥都用IC驱动变压器工作,纯用一个磁环驱动工作方式是中国特色,78年有关EB的第一篇文章就是这样,成本低啊!  深爱,吉半华微对这些非常清楚,所以他们一直花大本钱开展VDMOS研发生产!本人所知,国内中科皖半导体所(有8个学部委员),华晶,上海新进,华越刚能批量生产这玩意.深爱,吉半华微还有相当距离!  同一种型号同一生产厂家,同一生产批功率BJT的toff时间参数上基本都在2-6us范围内,这句话非常内行,实际上国外厂家能控制toff时间参数在75%范围,而国内能控制toff时间参数在100%范围算好的了!  学过功率电子学的朋友都知道,半桥一定要留有死区时间deadtime以防共导通!而EB工作于40-50KHZ频率T在20us左右,想想看toff时间参数在2-6us范围内实在可怕!当然Toff由Td和tf构成,tf在0.5-1us右左,  这位朋友L03N60,估计应该是N沟PowerMOS,3A/600V,用在40WEB可以.如果是POWERBJT,效果大同小异,要降低Bjt的结温,选择关断时间Tf小的BJT最好!  如果有朋友要为难这些牛B的推销员,拿toff时间参数对付他,他一定送钱给您!不知这位朋友满意不!Idonotfeelwellthistime.顶一下好吗!
........PFPF...讲到正点上了...下次有人找我推销管子我来这样跟他研究研究~~~~~看了一些样品资料,,里面都没这几项参数的..国内好几家都是这样的...一般都是耐压..电流..集电极功耗...结温..  储存时间什么的..要不就搞些没用的在上面
   D03N60的资料:
1120823850.pdf
0
回复
kkkkkkkk
LV.1
23
2005-07-18 10:32
@msxxl
寻总,秦明一群说着大话表面老实无聊北方佬
说这话的人才是真正的无聊之极!我也看了你若干个贴子,看得出你还是有点“水平”的,你说你能耐说说别人家的产品也就罢了,这个其实也无可厚非,技术的水平本来就是无止镜的,但人家公司老总跟你有什么瓜葛,说什么“寻总、秦明一群说着大话表面老实无聊北方佬”让大家看看,这是什么话,用几个字可以概括你这个人“轻浮”“狂妄”“无聊”“荒唐”“滑稽” ……!philip 13003 2.8*2.8 ? 是13005 2.8*2.8 又怎么样?吉半和深爱比philips 小你就觉得会比他差吗?你有统计过中国市场上镇流器用国产13005 一年有多少量、出口又是多少?所谓的“烂生产线”外加“63年的工艺水平”又能说明什么?表面上看上去你确实很懂,但在行家看看你的贴子,就觉得很好笑,国内与国外的技术方面特别是半导体这块相差是很大,有距离,那代表什么?代表我们自己可以大跃进式的超赶英美,还是像你这样"如果你的技术比Philiph,Osram低,技术又属于你自已,一定要有自知之明,据我所知,国内还没有成熟的HID!!,否则国内就没有人投那么大的资去研究!我手下十几个毕业于国内前十名大学的硕士、博士以及在国外混了3年的我组成的团队就成了大家的笑柄.” “如果你的技术是你个人灵感小发明,我劝你少去害人.我们公司曾经想走捷径,卖过一个国产HID大发明, 花第一笔钱买了21页每页值约1.5W Yuan的秘密图纸, 花第二笔钱造了1000台HID(其中用户返回463台,己灌封无法修复).”详见话题:话题:汽车HID成套技术转让(新开贴) 哈哈,有意思吧!吉半也好,深爱也好,华晶也好,那些老总你不要否认他们的的确确为了我们国家的半导体行业做了实实在在的事情,而你呢?带什么博士.......我想你也水平不低,为什么会有这样的举措呢?嫉妒、羡慕还是..?可惜、可怜........(建议admin 将一些类似的论题删除!)
0
回复