原边MOS管Ton期间，电流环路路径:大电解正极→变压器线圈输入→变压器线圈输出→开关MOS管→RENSE电阻→大电解负极。在原边MOS管Ton期间变压器原边线圈完成储能。
开关回路主要由原边MOS管与变压器励磁电感组成，开关管与其散热片、金属外壳和电源内部布线间分布电容，产生的du/dt具有较大幅度的脉冲，频带较宽而且谐波丰富。开关管初级负载为变压器初级线圈，是感性负载。
当开关管关断时，变压器初级线圈产生了反电动势E=Ldi/dt，其值与MOS管漏极的电流变化率成正比，与漏感成正比。由漏感产生的电压尖峰迭加在MOS管D极关断电压上，导致传导问题和辐射问题。
变压器漏感产生的电压振铃波形如下：
次级整流回路：
根据反激拓扑结构的工作原理可知，原边开关MOS管Toff期间，次级整流二极管导通，导通后电流环路如下图。而当原边开关MOS管Ton期间，次级整流二极管处于关断状态。
次级输出整流二极管截止时有一个反向电流，恢复到零点的时间与结电容等因素相关。它会在变压器漏感和其它分布参数的影响下产生很大的电流变化di/dt，引起较强的高频干扰，频率可达几十MHz，甚至百MHz，导致严重的辐射问题。
