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常见浪涌电压抑制器件特点及应用

在电子线路中通常采用浪涌保护器件来对电路进行保护,常见的几种浪涌抑制保护器件有:瞬态抑制二极管TVS、陶瓷气体放电管GDT、压敏电阻MOV、固态放电管TSS。浪拓电子技术为大家总结了这几种常见浪涌抑制保护元器件的优劣势对比,方便大家选择合适浪涌抑制保护器件:

❶瞬态抑制二极管(Transient voltage suppressor)

亦称瞬态电压抑制器,是一种专门用于抑制过电压的器件。其核心部分是具有较大截面积的PN结,该PN结工作在雪崩状态时,具有较强的脉冲吸收能力。

优点:残压低,动作精度高,反应时间快(<1ns),无跟随电流(续流);

缺点:耐流能力差,通流容量小,一般只有几百安培。

 

❷陶瓷气体放电管(Gas discharge tube)

陶瓷气体放电管可以用于数据线、有线电视、交流电源、电话系统等方面进行浪涌保护,一般器件电压范围从75~3600V,耐冲击峰值电流40KA,可承受高达几千焦耳的放电。

优点:通流量容量大,绝缘电阻高,漏电流小;

缺点:残压较高,反应时间慢(≤100ns),动作电压精度较低,有跟随电流(续流)。

 

❸压敏电阻(Metal oxside varistor)

该器件在一定温度下,导电性能随电压的增加而急剧增大。它是一种以氧化锌为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻。没有过压时呈高阻值状态,一旦过电压,立即将电压限制到一定值,其阻抗突变为低值。

优点:通流容量大,残压较低,反应时间较快(≤50ns),无跟随电流(续流);

缺点:漏电流较大,老化速度相对较快。

 

❹ 半导体放电管(Thyristor Surge Suppressors))

亦称固体放电管,是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件,其伏安特性与晶闸管类似,具有典型的开关特性。一般并联在电路中应用,正常工作状态下半导体放电管 处于截止状态,当电路中由于感应雷、操作过电压等出现异常过电压时,半导体放电管快速导通泄放由异常过电压导致的异常过电流, 保护后端设备免遭异常过电压的损坏,异常过电压消失后,半导体放电管又恢复至截止状态。

优点:响应速度快,,精确的导通电压,不会蜕化,可靠性高;

缺点:在AC或DC电源线防护中受限。

浪拓分级防护电路示意图

深圳浪拓电子,国内知名电路保护电子组件供货商,素以提供高质量的电路保护装置与防护设计闻名。

 

 

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