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Inn4375设计的快充电源

InnoSwitch4-Pro系列的INN4375芯片是一款支持数字控制的离线恒压/恒流零电压开关(ZVS)反激式IC。通过I2C总线与外部的微处理器通信，可以进行精准的电压电流控制与设定，提供高精度的恒压/恒流输出。可实现10mV或者30mA档位的电压和电流精准调整。

产品芯片Inn4375具有更全面的故障监测及功能设置，配合芯片CPZ1075M以及功率因数校正芯片PFS5274，再加上USB Type-C PD协议控制器IP2726S，实现了100W输出功率的 USB PD 3.0适配器设计。输入电压范围为90~ 265 VAC，输出PDO包括5V / 5A、9V / 5A、12V / 5A、15V / 5A、20V / 5A。

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spowergg
LV.9
2
2023-08-22 21:14

InnoSwitch4-Pro芯片可以输出更大的输出功率，无外壳工况下额定功率可达125W，PFC芯片额定输出功率可达165W。

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ehi763
LV.6
3
2023-08-22 21:22
@spowergg
InnoSwitch4-Pro芯片可以输出更大的输出功率，无外壳工况下额定功率可达125W，PFC芯片额定输出功率可达165W。

InnoSwitch4-Pro这个设计如果不考虑成本可以采用有源钳位版本来降低损耗，也可以采用相对成本低点的波谷开通的准谐振方式来降低初级开关的开通损耗。

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trllgh
LV.9
4
2023-08-22 21:29

作为专业的电源适配器来看它真的在小细节方面设计的也是挺好，反正用来充电真的挺适合的，具有体积小，效率高等优点

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k6666
LV.9
5
2023-08-23 08:41
@ehi763
InnoSwitch4-Pro这个设计如果不考虑成本可以采用有源钳位版本来降低损耗，也可以采用相对成本低点的波谷开通的准谐振方式来降低初级开关的开通损耗。

该主控芯片的待机功耗整体都比较小了，非常适合环保要求。

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大海的儿子
LV.10
6
2023-08-23 21:39
@ehi763
InnoSwitch4-Pro这个设计如果不考虑成本可以采用有源钳位版本来降低损耗，也可以采用相对成本低点的波谷开通的准谐振方式来降低初级开关的开通损耗。

该芯片采用独特的控制方法，在DCM和CCM中都能实现ZVS,从而降低损耗。

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dy-mb2U9pBf
LV.7
7
2023-08-23 22:10

通过I2C总线与外部的微处理器通信，可以进行精准的电压电流控制与设定，不知道能输出多少种电压值。

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飞翔2004
LV.10
8
2023-08-23 22:37
@大海的儿子
该芯片采用独特的控制方法，在DCM和CCM中都能实现ZVS,从而降低损耗。

在DCM和CCM模式下可同时支持准谐振的开关工作，还可选择仅采用DCM模式工作以降低SR FET电压应力

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k6666
LV.9
9
2023-08-25 13:16
@ehi763
InnoSwitch4-Pro这个设计如果不考虑成本可以采用有源钳位版本来降低损耗，也可以采用相对成本低点的波谷开通的准谐振方式来降低初级开关的开通损耗。

芯片自身的功耗比较低。

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k6666
LV.9
10
2023-08-25 13:17
@飞翔2004
在DCM和CCM模式下可同时支持准谐振的开关工作，还可选择仅采用DCM模式工作以降低SRFET电压应力

不同的模式电源的效率还是有差异的。

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奋斗的青春
LV.10
11
2023-08-25 13:27
@ehi763
InnoSwitch4-Pro这个设计如果不考虑成本可以采用有源钳位版本来降低损耗，也可以采用相对成本低点的波谷开通的准谐振方式来降低初级开关的开通损耗。

PI的PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管。

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denyuiwen
LV.6
12
2023-08-25 14:42

小细节方面设计的也是挺好的，做工确实很好，成本还是太高了

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dy-XU5vrphW
LV.6
13
2023-08-25 22:08

快充电源在工作过程需要对各个端口做隔离防护么

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cmdz002
LV.5
14
2023-08-25 22:30

INN4375采用独特的控制方式，在DCM和CCM中都能实现ZVS

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dy-nmLUWFNr
LV.7
15
2023-08-25 23:10

快充电源的输入电流需要保持统一频率么

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dy-nmLUWFNr
LV.7
16
2023-08-26 17:45

多个器件在同一板子需要增加信号保护防止相互干扰么

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追魂幡℃
LV.6
17
2023-08-26 20:56

现在看见pi的芯片就很亲切

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川理学子
LV.8
18
2023-08-31 23:31

该芯片可以依靠PCB覆铜来完成散热，不需要额外的散热器，可以很大程度上的节省空间面积

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飞翔2004
LV.10
19
2023-09-14 17:35

变压器一般要设计成低漏感,漏感一般均小于 0.2%(预估值),因此电磁干扰(EMI)辐射低,基 本不受外界电磁干扰的影响.

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大海的儿子
LV.10
20
2023-09-14 19:10
@飞翔2004
变压器一般要设计成低漏感,漏感一般均小于0.2%(预估值),因此电磁干扰(EMI)辐射低,基本不受外界电磁干扰的影响.

AC阻抗减小,因为变压器窗口中的磁通密度B的分布更具有一致性, 则绕组导体中的电流密度分布一致性更好. 

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xxbw6868
LV.9
21
2023-10-08 19:35
@飞翔2004
变压器一般要设计成低漏感,漏感一般均小于0.2%(预估值),因此电磁干扰(EMI)辐射低,基本不受外界电磁干扰的影响.

低漏感隔离变压器通常使用高级绕组技术和特殊的铁芯材料制造而成.

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spowergg
LV.9
22
2023-10-08 20:39
@xxbw6868
低漏感隔离变压器通常使用高级绕组技术和特殊的铁芯材料制造而成.

低漏感隔离变压器是一种特殊的变压器，它的主要特点是具有非常低的漏电感应系数。

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xxbw6868
LV.9
23
2023-11-02 13:17
@trllgh
作为专业的电源适配器来看它真的在小细节方面设计的也是挺好，反正用来充电真的挺适合的，具有体积小，效率高等优点

可以通过I2C接口与其它IC通讯，再加上高频有源钳位工作，就意味着可以实现极小尺寸的电源适配器设计。

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trllgh
LV.9
24
2023-11-08 15:17
@xxbw6868
可以通过I2C接口与其它IC通讯，再加上高频有源钳位工作，就意味着可以实现极小尺寸的电源适配器设计。

同时兼容USB PD和通用快充技术规范（UFCS）的适配器设计，并且输出功率高达220W。

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opingss88
LV.10
25
02-05 22:03

只有在整流桥堆导通期间，传导干扰的电流才会流向交流电网输入端

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黑夜公爵
LV.10
26
04-16 20:22

在功率MOSFET导通后，前沿消隐电路会将电流限流比较器抑制片刻

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