宽禁带半导体PI的成熟应用

宽禁带半导体的发展应该是可期待的，未来的市场空间肯定要被宽禁带半导体替代，但是主要分工业领域和消费领域

宽禁带半导体具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能。

要充分利用 GaN 器件的优势，封装就必须具有极低的寄生电感和出色的热性能。

GAN较低的结电容也使得器件的能量等效电容远小于同规格MOS器件，使得电源在硬开关过程中的容性损耗大大减小，能够显著减少器件发热 .

GAN更低的“导通”电阻意味着它们耗散的功率更小，从而提升能效。

宽禁带半导体主要的市场在电力电子领域，在功率器件方面发挥重大作用

氮化镓总体优势明显，未来发展的方向，高效率、小尺寸、支持功率更大。

Rds比较小，损耗比较低。

具有的优势，可以降低损耗提高效率。

从这个特性图上看，GaN的半导体材料各个方面的性能优势比较综合，性能突出。

宽禁带半导体主要应用在电力电子领域，在功率器件方面有大的优势。具有耐高压、耐高温、低功耗等特性。

目前在突出的耐高压、耐高温、低功耗等特性，大功率电源开发设计中越来越受欢迎，使用者越来越多

这些应用都非常丰富，很多案例都值得反复研究

突出的耐高压、耐高温、低功耗等特性，使得大功率电源开发设计中越来越受欢迎，高功率密度和效率、高耐热性能的解决方案，以减少导通损耗和碳排放。