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同步BUCK中SW电压尖峰过冲问题
听听1234
最新回复:2023-11-28 18:56
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听听1234:
如果变压器的磁芯掉了一块,将导致磁通回路不完整,增加漏磁通,从而降低变压器的效率、增加损耗,可能引发过热和降低电流承载能力。
01-20 10:46 回复
原帖:假如变压器的磁芯掉了一块会有什么影响?
听听1234:
MOS晶体管是一种通用的场效应晶体管,而功率型MOSFET主要用于高功率应用,具有较低的导通阻抗和快速开关特性;IGBT(绝缘栅双极型晶体管)结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的优良导通性能,适合高电压和高电流的功率应用。
01-20 10:45 回复
原帖:MOS 晶体管、 功率型 MOSFET和IGBT区别
听听1234:
EAS,全称为单次雪崩能量(SinglePulseAvalancheEnergy),是MOSFET器件手册中一个关键参数,用于衡量器件在DS端过压极端条件下的能量耐受能力。
01-20 10:45 回复
原帖:MOSFET雪崩能量EAS的测试原理与设计优化
听听1234:
MOSFET是一种通过栅极电压控制源极与漏极之间电流的半导体器件,其重要参数包括阈值电压、漏极电流、导通阻抗等,广泛应用于开关电源和电机驱动等领域。
01-20 10:44 回复
原帖:MOSFET管的基本特性详解
听听1234:
米勒效应(Miller effect)是在电子学中,反相放大电路中,输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用,其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍,其中K是该级放大电路电压放大倍数。
01-20 10:43 回复
原帖:功率开关管米勒平台行程的过程
听听1234:
InnoSwitch5-Pro内部集成了750V或900V的PowiGaN初级开关、FluxLink隔离反馈和具备I²C接口的次级控制器,这种高集成度的设计,不仅让电路更加简洁,还大大提升了性能和可靠性。
01-20 10:43 回复
原帖:InnoSwitch5-Pro开启快充新一年
听听1234:
反激电源的EMI设计关键在于优化布局、选择合适的元件和设计有效的滤波器。通过确保短路径布局并使用地平面,可以降低电流回路的电感,从而减少EMI。此外,使用低EMI的开关元件和高质量的磁性元件能进一步降低电磁干扰,而设计输入和输出的LC滤波器则可以有效抑制高频噪声。同时,加装金属屏蔽对敏感电路部分进行保护也是降低EMI的重要措施。
01-17 11:55 回复
原帖:聊聊反激电源的EMI设计
听听1234:
PI强大的芯片设计,内部集成了GaN功率器件,750V耐压值可以覆盖很多场景使用,一般不会击穿,可靠性高,空载损耗也很低,可小于70mW。
01-17 11:55 回复
原帖:PI一款GaN 反激电源 性能卓越
听听1234:
InnoMux开关振铃的成因主要包括电源质量不稳定、开关速度与特性、PCB布局不合理、负载阻抗不匹配,以及外部环境干扰等因素。这些问题可能导致信号反射和干扰,从而产生振铃现象。解决此问题可以通过优化电路设计、配备适当的滤波措施及负载匹配等方法来改善电路的整体性能。
01-17 11:54 回复
原帖:InnoMux开关振铃成因分析
听听1234:
输出整流在LNK3209GQ的导通时间内,由于L1的作用,电流呈斜坡上升并同时输送至负载。
01-17 11:53 回复
原帖:INN3990CQ 精密电压调节及其下拉电路
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