实际的电路中，MOS功率管存在结电容，线路存在寄生电感，并不是理想的开关。
下图是实际的不同驱动电阻下的驱动波形。
可以看出，RG外部驱动电阻越小，由事件(I)引起的VGS下降就越大。此外，由于开关速度非常快，因此事件(III)在(a)中很突出；但由于RG为0Ω，因此几乎没有观察到事件(II)的波形。另一方面，在(b)中，事件(II)和RG引起的VGS升程明显。
从该结果可以清楚地看出，要想降低引起LS导通时HS误启动的(II)的VGS升程，就需要减小HS关断时的外置栅极电阻RG。然而，多数情况下，HS和LS的RG是相同的，因此，当减小RG时，LS的dVDS/dt将增加，HS的ICGD会增加。结果会导致HS浪涌升高。
解决上述矛盾有一种方法是，使导通时和关断时的RG分离，并且仅减小关断时的RG，常规方法是使用二极管的方法。
使用这种方法，在导通状态下工作的电阻只有RG_ON，而在关断状态下，二极管导通并成为RG_ON和RG_OFF的并联电阻。因此，相对于导通时的电阻值，关断时的电阻值变小。
