用INN3165C设计的20W电源

INN3165开发的电源，可以采用外部电流检测电阻，可设定精确的恒流输出 。

变压器一次绕组的一端连接整流直流母线，另一端连接Inn3165内部的集成功率MOSFET

InnoSwitch3-CE系列器件集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断，效率高，待机功耗小。

对于开关电源来说布局也是很关键的，合理的元件位置以及初级和次级功率电路所形成的小环路面积有助
于降低辐射及传导EMI。应注意确保环路面积尽量小。

INN3165开发电源在正常运行时，主侧块由变压器上的辅助绕组供电。

输出电压为输入到VO引脚的设备供电。它将通过内部调节器为去耦电容器C9充电。

所提供的器件均支持锁存与自动重启动的常用组合，包括可轻松满足平均电源效率要求并且具有极低空载输入功率率和出色待机性能的恒压/恒流充电器。

调整SR开关RC缓冲器元件值有助于降低高频辐射及传导EMI。

该IC可以在自供电模式中启动，这会从旁路引脚电容吸收能量，但是待机功耗比较大。

在各种输入电压及负载条件下均可高达90%的效率

如果使用偏置绕组向初级旁路引脚提供供电电流后，可实现空载功耗低于15 mW的电源。待机功耗是非常低的。

在开关节点和电源接地端之间添加一个 RC 缓冲器,有助于降低辐射 EMI 水平。RC 缓冲器应尽可能靠近开关节点和接地平面。

简单的初级侧调整所形成的次级侧控制对变压器的变化不敏感和瞬态响应时间极快

芯片内部集成高压开关、与 InnoSwitch 系列离线式开关IC搭配使用的有源钳位IC  ，性能出色。

简单的初级侧调整所形成的次级侧控制对变压器的变化不敏感，并且瞬态响应时间极快

具有次级侧控制的所有优点,以及初级侧调节的简单性，而且<10 mW空载输入功率。

输出直流电路采用了LC滤波电路，有效消除次级电路中的高频干扰信号。