不管所用的GaN类型如何，栅极驱动设计对于实现最佳的整体性能至关重要。栅极驱动设计的好坏直接影响到产品的性能。
在设计栅级驱动器时，请注意以下几个关键参数：
1.偏置电压：重要的是将栅极偏置为最佳电压以获得最佳的开关性能，同时保护栅极免受潜在的过压状况。偏置电平随类型和GaN制造工艺而异，需要相应设置。具有钳位或过压保护电路也极其关键。
2.环路电感：由于GaN的高压摆率和开关频率，设计中的任何寄生电感都会在系统中引入损耗和振铃。许多电感源存在于GaN FET和驱动器封装中的引线和内部接合线以及印刷电路板（PCB）迹线的设计中。虽然可将其减少，但很难消除它们。诸如有的GaN功率级解决方案将驱动器和GaN FET集成到单个封装中，显著降低了总体电感。
3.传播延迟：短传播延迟和良好匹配（针对半桥拓扑）对于高频操作非常重要。 25 ns的传播延迟和1到2 ns的匹配是高频（1 MHz或更高）设计的一个很好的起点。
通过优化的驱动器设计的GaN开关波形，同时通过最佳的栅极驱动设计和PCB布局，GaN可以非常高速的转换速率工作，并且使交换节点上的振铃最小。下图为增强型GaN器件的模型。
