IRF3205单边发热
现在新做个板带300W发现单边场管发热,同样的元件,实验时带300W两边都不烫,实验时用6对管,现在用2对管,想用IGBT输出,只是实验.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/71/1391031227078543.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@有一
最后,问题解决了,原来IRF3205控制极不能并在一起,每只管的控制极要独立串一电阻,这样才不单边发热.还有我的IGBT输出成功,这样比起可控硅输出节能.因为不浪费能量在关断电感上.不过没有了脉冲尖峰.但效果还是不错.带感性负载时输出端要并个高耐压小容量的电容,防止串入自感电压击穿IGBT,最后IGBT控制电压一定要稳定.不要超压.
呵呵!本来MOS的栅极串联电阻是为了防止多管并联应用时参数不一致导致部分管发热及烧毁,你倒好--共电阻.对你的IGBT后级很有兴趣,不仿发上来我们看看?和你一样对可控硅有很深的偏见,---即不能发挥前级效率,关断电路消耗也大.
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@11455355
呵呵!本来MOS的栅极串联电阻是为了防止多管并联应用时参数不一致导致部分管发热及烧毁,你倒好--共电阻.对你的IGBT后级很有兴趣,不仿发上来我们看看?和你一样对可控硅有很深的偏见,---即不能发挥前级效率,关断电路消耗也大.
上面的就是原理图,图中IGBT的驱动电路有点问题,驱动部分元件的功率要加大,不要用9013,9013的集电极电阻要调大些,要按照你的输出电压的高低相应计算出驱动电路的功率,防止烧毁驱动部分.一旦驱动部分烧毁,IGBT很可能会烧掉,所以做IGBT输出的一定要搞好驱动部分,包括它的驱动电压一定要稳住.我这电路驱动电压稳住在18V.输出带300W过了几分钟时IGBT只是微热.
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@有一
最后,问题解决了,原来IRF3205控制极不能并在一起,每只管的控制极要独立串一电阻,这样才不单边发热.还有我的IGBT输出成功,这样比起可控硅输出节能.因为不浪费能量在关断电感上.不过没有了脉冲尖峰.但效果还是不错.带感性负载时输出端要并个高耐压小容量的电容,防止串入自感电压击穿IGBT,最后IGBT控制电压一定要稳定.不要超压.
有一 xiong,请问你G极驱动怎么做的,就是稳压怎么做的,能否把图发上来看看,我的是这样子的, 3559991258683596.pdf
irf3205上电吱吱叫,然后很烫,然后坏掉啊
irf3205上电吱吱叫,然后很烫,然后坏掉啊
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