反激式设计中MOS温度过高,请问如何解决?

我现在用LM3478做了一个反激式电源,但是在测试中发现MOS的温升有些过高,请问有什么好的解决方法,现在Vds的反峰压也比较高,虽然我加上了RCD吸收电路,但是作用并不是很明显.所以请各位大侠能够指点]

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qdchb

LV.4

2005-03-19 13:52

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qdchb

LV.4

2005-03-19 13:53

zmq_dy

LV.1

2005-03-19 14:59

@qdchb

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改变驱动脉冲的上升或下降的斜率,或漏极对输入加二极管串电容