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SID1182K在新能源光伏逆变器的应用

        光伏逆变器对于IGBT的运行稳定性要求很高，所以必须有可靠地驱动电路保证IGBT的运行。推荐采用PI的IDriver系列驱动，型号为SID1182K，这款驱动IC驱动电流为8A汽车级单通道IGBT/MOSFET门极驱动器，无需外加推挽电路，可应用在UPS、光伏发电等领域。SID1182K电流隔离驱动芯片具有高级软关断（ASSD）功能，一旦检测到短路情况，该功能便会降低关断di / dt，以限制VCE过压尖峰。 因此，避免了阻断电压过大，并且保证IGBT在其安全状态下关断。 

      在测试时需要分别在逆变器空载和满载时，重点测试驱动电压幅值、驱动上升沿波形、高电平波形，低电平波形以及下降沿波形。注意示波器探头采用接地环检测，不得使用超过50mm的接地线，防止在驱动回路引入杂散电感干扰。该设计具有最小的脉冲抑制，时间常数τ通常为99ns。 如果需要，可以通过调整电容的容值来更改设置。

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奋斗的青春
LV.10
2
2022-03-14 15:43

芯片内部有两个MOS管，驱动IGBT工作。峰值输出电流比较大，器件过流能力厉害。

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紫蝶
LV.9
3
2022-03-14 17:56

SID1182K采用创新的ESOP封装，具有9.5mm的爬电距离和600的CTI，符合很多安全标准，确保了显著的工作电压余度和系统的高可靠性。

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大海的儿子
LV.10
4
2022-03-15 12:54
@紫蝶
SID1182K采用创新的ESOP封装，具有9.5mm的爬电距离和600的CTI，符合很多安全标准，确保了显著的工作电压余度和系统的高可靠性。

SID1182K电流隔离驱动芯片提供检测输入，用于监视IGBT短路状况。

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trllgh
LV.9
5
2022-03-15 12:59
@大海的儿子
SID1182K电流隔离驱动芯片提供检测输入，用于监视IGBT短路状况。

使用基于相同布局的电阻器网络或高压二极管提供VCEsat监视功能,建议使用电阻器网络实现.

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k6666
LV.9
6
2022-03-15 18:49
@大海的儿子
SID1182K电流隔离驱动芯片提供检测输入，用于监视IGBT短路状况。

这个芯片的功耗多少了？驱动能力很强，适合大功率的IGBT应用。

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svs101
LV.8
7
2022-03-15 19:09

SCALE-iDriver则是为汽车应用中的SiC MOSFET提供驱动的 。

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svs101
LV.8
8
2022-03-15 19:09

该芯片峰值门极输出电流是±8A；短路时关断速度非常快，小于3uS。

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svs101
LV.8
9
2022-03-15 19:13

SID1182KQ芯片是自举电路由一个二极管和一个自举电容组成。

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svs101
LV.8
10
2022-03-15 19:14

自举电容与上管MOSFET的S极接在一起，当需要驱动上管时，驱动芯片就将该电容的电荷送入上管MOSFET的门极，实现上管的驱动。

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川理学子
LV.8
11
2022-03-15 22:52

常规短路保护或者过流保护会在过流的瞬间把驱动给关掉，这样就会产生高di/dt，高di/dt会带来很高的电压交锋，存在击穿IGBT的风险，这个芯片的软关断控制就有效的避免了这个问题

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dbg_ux
LV.9
12
2022-03-17 20:25
@trllgh
使用基于相同布局的电阻器网络或高压二极管提供VCEsat监视功能,建议使用电阻器网络实现.

这款驱动IC集成Vce退饱和压降检测、高级软关断等功能，保证IGBT在出现故障后可靠关断.

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kckcll
LV.9
13
2022-03-17 20:31

SID11x2K的工作温度为-40~+125℃，最高的开关频率可达到250kHz，且延迟时间低于260ns。

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xxbw6868
LV.9
14
2022-03-17 20:51
@kckcll
SID11x2K的工作温度为-40~+125℃，最高的开关频率可达到250kHz，且延迟时间低于260ns。

集成度高，只需很少的外围器件便可以搭建出应用电路，这样降成本、简化电路设计。

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spowergg
LV.9
15
2022-03-17 21:07
@dbg_ux
这款驱动IC集成Vce退饱和压降检测、高级软关断等功能，保证IGBT在出现故障后可靠关断.

控制器信号兼容5V CMOS逻辑电平，使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15V。

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ehi763
LV.6
16
2022-03-19 10:51
@xxbw6868
集成度高，只需很少的外围器件便可以搭建出应用电路，这样降成本、简化电路设计。

如果功率不够，同样可以在外加推挽电路的情况下实现大功率IGBT驱动。

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trllgh
LV.9
17
2022-03-19 11:46
@ehi763
如果功率不够，同样可以在外加推挽电路的情况下实现大功率IGBT驱动。

驱动600V/650V/1200V IGBT或MOSFET没有任何问题，采用独特的eSOP封装，具有9.5mm爬电距离和爬电间隙。

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大海的儿子
LV.10
18
2022-03-19 11:57

ASSD功能仅在短路条件下才有效，而在正常工作条件下不起作用，也就是由VCEsat监视功能触发。

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dbg_ux
LV.9
19
2022-03-19 12:08
@大海的儿子
ASSD功能仅在短路条件下才有效，而在正常工作条件下不起作用，也就是由VCEsat监视功能触发。

ASSD功能也可能有性能限制，例如在高直流母线电压或高换向环路杂散电感下。

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dbg_ux
LV.9
20
2022-03-19 12:08
@trllgh
驱动600V/650V/1200VIGBT或MOSFET没有任何问题，采用独特的eSOP封装，具有9.5mm爬电距离和爬电间隙。

IC封装内集成了原方隔离带和通信链路，可增强可靠性并省去光耦器等外围隔离元件。

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kckcll
LV.9
21
2022-03-19 12:10
@dbg_ux
IC封装内集成了原方隔离带和通信链路，可增强可靠性并省去光耦器等外围隔离元件。

此类元件都存在散热性能不高和长期稳定性不足的固有问题。

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kckcll
LV.9
22
2022-03-19 12:14
@dbg_ux
ASSD功能也可能有性能限制，例如在高直流母线电压或高换向环路杂散电感下。

如果应用工作在这些边界情况下，建议设计基本有源钳位。

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快乐的小天使
LV.7
23
2022-03-19 17:23

检测到短路时，便会降低关断di / dt，以限制VCE过压尖峰

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天晴朗
LV.6
24
2022-03-25 22:10

检测到短路时便会降低关断di / dt，以限制VCE过压尖峰，起到保护作用

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小燕纸
LV.4
25
2022-03-25 22:55

具有最小的脉冲抑制，时间常数τ通常为99ns

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快乐的小天使
LV.7
26
2022-03-26 22:05

测试时示波器探头采用接地环检测，防止在驱动回路引入杂散电感干扰

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XHH9062
LV.8
27
2022-03-28 18:16

内部集成度较高，适应很多应用场合

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tanb006
LV.10
28
2022-03-28 22:25

没有集成负压产生电路。对IGBT还是有些不够劲。

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tanb006
LV.10
29
2022-03-28 22:26
@奋斗的青春
芯片内部有两个MOS管，驱动IGBT工作。峰值输出电流比较大，器件过流能力厉害。

电流大没用，IGBT还需要负压关断，避免电流拖尾。

 

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tanb006
LV.10
30
2022-03-28 22:27
@川理学子
常规短路保护或者过流保护会在过流的瞬间把驱动给关掉，这样就会产生高di/dt，高di/dt会带来很高的电压交锋，存在击穿IGBT的风险，这个芯片的软关断控制就有效的避免了这个问题

芯片是怎么实现让IGBT软关断的？

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tanb006
LV.10
31
2022-03-28 22:29
@spowergg
控制器信号兼容5VCMOS逻辑电平，使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15V。

如果可以用单片机的3.3V做信号就最好了。0.5--2.5V做高低电平信号，那就完美拉

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