500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/68/561131219305504.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">半桥谐振的疑问
刚刚开始接触谐振变换器,看L6599的datasheet,应用电路图如下图.这个结构准确来说是不是应该叫不对称半桥谐振?看的参考书上的半桥谐振都是谐振腔一端位于两个MOS中间,另一端位于两个电解电容中间.这种是不是叫对称半桥谐振?在实际应用中,是不是因为不对称半桥可以省掉一个高压电容,所以用的比较多?
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/68/561131219305504.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/68/561131219305504.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">全部回复(29)
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首先L6599做的是LLC架构(漏电感,主电感及谐振电容)是对称半桥,因为两个MOS开关的占空比忽略死区都约0.5,电路的控制方式是PFM控制方式,重载的时候频率低,轻载的时候频率高,而不对称半桥是ZVS方式,两个MOS开关的占空比一个为D,则另一个为1-D,电路的控制方式是PWM控制方式,两种架构各有其优缺点,LLC架构控制IC价格稍贵,电路副边同步整流不容易,由于是变频控制可能会对其他电路造成干扰,但它掉电维持时间长,副边的整流管需求耐压低,不需后面储能电感,效率高MOS开关和整流管的散热片都可以做的很小,而不对称半桥由于其占空比是互补的所以变压器原边可能会出现偏磁,由于两个占空比不一样所以需要一个小的储能电感,掉电维持时间短,副边的整流管是硬开关而且需求耐压高,所以副边整流管损耗大效率低,电路需要箝位元件,但由于它是PWM控制方式,所以副边很容易用MOSFET做同步整流,电路的实现可以用UC38XX扩展为两路驱动即可,当然也可以用ST的L6591
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@药师佛
首先L6599做的是LLC架构(漏电感,主电感及谐振电容)是对称半桥,因为两个MOS开关的占空比忽略死区都约0.5,电路的控制方式是PFM控制方式,重载的时候频率低,轻载的时候频率高,而不对称半桥是ZVS方式,两个MOS开关的占空比一个为D,则另一个为1-D,电路的控制方式是PWM控制方式,两种架构各有其优缺点,LLC架构控制IC价格稍贵,电路副边同步整流不容易,由于是变频控制可能会对其他电路造成干扰,但它掉电维持时间长,副边的整流管需求耐压低,不需后面储能电感,效率高MOS开关和整流管的散热片都可以做的很小,而不对称半桥由于其占空比是互补的所以变压器原边可能会出现偏磁,由于两个占空比不一样所以需要一个小的储能电感,掉电维持时间短,副边的整流管是硬开关而且需求耐压高,所以副边整流管损耗大效率低,电路需要箝位元件,但由于它是PWM控制方式,所以副边很容易用MOSFET做同步整流,电路的实现可以用UC38XX扩展为两路驱动即可,当然也可以用ST的L6591
高手解答,就是不一样,顶
但如今半桥应用很少,一般用桥式多,
但如今半桥应用很少,一般用桥式多,
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@药师佛
首先L6599做的是LLC架构(漏电感,主电感及谐振电容)是对称半桥,因为两个MOS开关的占空比忽略死区都约0.5,电路的控制方式是PFM控制方式,重载的时候频率低,轻载的时候频率高,而不对称半桥是ZVS方式,两个MOS开关的占空比一个为D,则另一个为1-D,电路的控制方式是PWM控制方式,两种架构各有其优缺点,LLC架构控制IC价格稍贵,电路副边同步整流不容易,由于是变频控制可能会对其他电路造成干扰,但它掉电维持时间长,副边的整流管需求耐压低,不需后面储能电感,效率高MOS开关和整流管的散热片都可以做的很小,而不对称半桥由于其占空比是互补的所以变压器原边可能会出现偏磁,由于两个占空比不一样所以需要一个小的储能电感,掉电维持时间短,副边的整流管是硬开关而且需求耐压高,所以副边整流管损耗大效率低,电路需要箝位元件,但由于它是PWM控制方式,所以副边很容易用MOSFET做同步整流,电路的实现可以用UC38XX扩展为两路驱动即可,当然也可以用ST的L6591
像6599做成普通半桥方式行吗(不用LLC方式做)?双电容方式!
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@药师佛
首先L6599做的是LLC架构(漏电感,主电感及谐振电容)是对称半桥,因为两个MOS开关的占空比忽略死区都约0.5,电路的控制方式是PFM控制方式,重载的时候频率低,轻载的时候频率高,而不对称半桥是ZVS方式,两个MOS开关的占空比一个为D,则另一个为1-D,电路的控制方式是PWM控制方式,两种架构各有其优缺点,LLC架构控制IC价格稍贵,电路副边同步整流不容易,由于是变频控制可能会对其他电路造成干扰,但它掉电维持时间长,副边的整流管需求耐压低,不需后面储能电感,效率高MOS开关和整流管的散热片都可以做的很小,而不对称半桥由于其占空比是互补的所以变压器原边可能会出现偏磁,由于两个占空比不一样所以需要一个小的储能电感,掉电维持时间短,副边的整流管是硬开关而且需求耐压高,所以副边整流管损耗大效率低,电路需要箝位元件,但由于它是PWM控制方式,所以副边很容易用MOSFET做同步整流,电路的实现可以用UC38XX扩展为两路驱动即可,当然也可以用ST的L6591
你好!请问你一下,半桥谐振电路为PFM控制,那为什么轻载时频率高,而重载时工作频率又降低了呢?能否给个详细的解释?谢谢!
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