目前規模化生長SiC單晶主要採用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的昇華法。這也就帶來了SiC晶體製備的兩個難點：1.生長條件苛刻，需要在高溫下進行。一般而言，SiC氣相生長溫度在2,300℃以上，壓力350MPa，而矽僅需1,600℃左右。高溫對設備和製程控制帶來了極高的要求，生產過程幾乎是黑箱操作難以觀測。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會導致生長數天的產品失敗。2.生長速度慢。PVT法生長SiC的速度緩慢，7天才能生長2cm左右（而矽棒拉晶2~3天即可拉出約2m長的8英吋矽棒)。最近看到市面上深圳AST 的碳化硅MOS：
非常不愿意用“国产替代”这个词，更愿意用供应链的本土化采购这种说法。回归商业的本质，供应链最终都是需要本土化采购来降低成本与提高效率（如果本土化的成本高，那另当别论）。提高效率不仅包括运输成本，还包括交流的效率，技术支持的效率，所以我们所说的国产替代，实际上是供应链的本土化采购的必然趋势。只不过以前，大家对国产芯片戴着有形眼镜的认知，这一次突破之后，价值观发生了改变，很多优秀的国产芯片公司被认知。其实他们并不希望你把它作为什么国产替代，他们的定位都是国际化公司，就像我们现在看见的那些欧美日的芯片公示一样，他们定位也是全球的。所以咱们不要提国产替代了，就是供应链的本土化采购，目的是提升效率，降低成本，让最先进的科技普惠于民。
