用INN3675C设计的18W电源

InnoSwitch3-EP自适应流限调整和变频控制方案，可在整个负载范围内提供一直高效率。

也有一些型号集成了750V氮化镓（GaN）开关，这可以降低电流流动期间的传导损耗。

设计电源布局也很重要，漏极开关节点是主要噪声源。因此，连接漏极节点的元件应靠近IC放置。

这样降低工作时的开关损耗，最终有助于大幅降低电源的能耗提高效率。

INN3675C具有很多保护功能，线路上的欠压或过压保护，输出端的限压限流保护以及过热关断保护。

PowiGaN的开关电源IC可实现95％的高效率，输出功率高达100 W。

PowiGaN的开关电源IC可实现95％的高效率，输出功率高达100 W。

PowiGaN不仅适合大功率快速充电应用，而且还供了无散热片的电源解决方案，消除了与散热片相关的损耗和可靠性问题。

并远离敏感的反馈电路。箝位电路元件应远离初级旁路引脚，并且相关电路走线走线长度应尽量短。

InnoSwitch3-EP该系列的开关电源有较高的输出功率，而不同型号的的开关电源IC有不同的输出功率

由输入整流滤波器电容、初级绕组和IC初级侧开关形成的环路的面积应尽可能的小。

 PowiGaN器件还采用无损耗初级电流检测技术，可完全省去外部检测电阻。

在分立方案中，这些电阻的大小通常会超过氮化镓开关自身的电阻

在恒流工作期间，当输出电压降低时，器件将直接从次级绕组自行供电。

大功率的快充电源的设计，支持更大的输出电流，搭配快充协议，满足笔记本等大功率产品应用。

变压器初级绕组两端的反射电压开始上升，反馈至控制极的电流IC相应地增大

在降压式电路中电感值对于在开关电源开关断开期间保持流向负载的电流很关键

在一个输入电压半周期内开关频率会有所变化以减缓输出LED上的热应力

同样的初级绕组为了抑制磁芯的磁通量减弱,试图维持磁芯内的磁通量,初级绕组电感会产生上负下正的感应电压Vor,这个电压即是反射电压。

因为MOS管关断且钳位电容两端的电压更高，所以此感应电压没有导通回路，所以不产生电流。

当MOSFET开启时，器件使用存储在旁路电容中的能量

实现软开关能够减小ACF电路中开关管的开关损耗,解决了效率难题。

由电容及整流管反向恢复时间产生的电流尖峰引起导通的MOSFET提前误关断

是如何对次级侧同步整流MOSFET及初级集成高压MOSFET的准谐振开关进行精确控制的呢

需要防止初级侧到次级侧的击穿而导致高压尖刺和潜在损坏,而因此需要快速地关闭SR。