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用TOP269KG设计的30W开关电源

       在设计开关电源时，电磁干扰是一个令人棘手的问题。主要的电磁干扰源经常是dv/dt非常大的开关管的漏极及散热器。而常规的开关管与金属底座相连接的恰恰是漏级，因此就产生了强烈的电磁干扰。如果采用TOPSwitch开关方案，就能很好地解决此问题。这是因为TOPSwitch系列器件采用了源极与外壳相连，使金属底座及散热器的dv/dt=0，从而降低了电磁干扰，收到了较好的效果。

        该电源输入直流电压范围为80～265V，输出直流电压15V，输出功率30W。TOP269KG只需要配合很少量的外部元件，与光电耦合器配合使用，便可快速设计出一款性能参数足够好的大功率开关电源。

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uf_1269
LV.8
2
2020-11-03 15:55
TOP269KG设计的电源提供使用更大迟滞的自动恢复过热保护，迟滞值较大，可实现精确的热关断
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cb_mmb
LV.8
3
2020-11-03 16:17
电磁干扰跟变压器的设计也有很大的关系的，变压器设计是设计开关电源的核心。
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lx25hb
LV.8
4
2020-11-03 16:23
@uf_1269
TOP269KG设计的电源提供使用更大迟滞的自动恢复过热保护，迟滞值较大，可实现精确的热关断
电路属于初级侧检测的输出过载和过压保护，即使是单故障也能检测。
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dbg_ux
LV.9
5
2020-11-03 16:31
现在很多集成的开关电源芯片不仅可以降低功耗，并且可以很精确地控制PWM控制器和MOS管开关的时序。
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kckcll
LV.9
6
2020-11-03 16:45
@dbg_ux
现在很多集成的开关电源芯片不仅可以降低功耗，并且可以很精确地控制PWM控制器和MOS管开关的时序。
这样可以简化周边线路的反馈回路和元件，例如减少变压器、电容、电阻等，因此可以减少方案的体积。
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紫蝶
LV.9
7
2020-11-03 19:25
@cb_mmb
电磁干扰跟变压器的设计也有很大的关系的，变压器设计是设计开关电源的核心。
通过调整电源的占空比来调整输出电压，在正常工作情况下，功率MOSFET的占空比随C引脚电流的增加而线性减少。
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紫蝶
LV.9
8
2020-11-03 19:26
@kckcll
这样可以简化周边线路的反馈回路和元件，例如减少变压器、电容、电阻等，因此可以减少方案的体积。
现在的开关电源功率大，体积做的越来越小，效率高，输出的纹波比之前的都小
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gxg1122
LV.10
9
2020-11-03 21:28
@紫蝶
通过调整电源的占空比来调整输出电压，在正常工作情况下，功率MOSFET的占空比随C引脚电流的增加而线性减少。
电源主控芯片具有频率抖动技术，可以在全负载范围内实行更高效率的输出。
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gxg1122
LV.10
10
2020-11-03 21:29
@kckcll
这样可以简化周边线路的反馈回路和元件，例如减少变压器、电容、电阻等，因此可以减少方案的体积。
电源功耗降低了，效率就提升，产品发热等就小，整个形成良性循环。
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gxg1122
LV.10
11
2020-11-03 21:30
@lx25hb
电路属于初级侧检测的输出过载和过压保护，即使是单故障也能检测。
电源的芯片集成多种保护功能，外部设计有多种拓扑结构，根据设计可以选择合适的。
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大海的儿子
LV.10
12
2020-11-04 16:30
TOP269KG具备软启动功能，可以减小启动冲击。具有多种故障保护。它主要应用于反激电路中。
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trllgh
LV.9
13
2020-11-04 16:33
@cb_mmb
电磁干扰跟变压器的设计也有很大的关系的，变压器设计是设计开关电源的核心。
如果初级绕组是的最内绕组变压器上，就会由被屏蔽其他变压器绕组，有助于降低噪声耦合从初级绕组到相邻部件。
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xxbw6868
LV.9
14
2020-11-04 16:40
@lx25hb
电路属于初级侧检测的输出过载和过压保护，即使是单故障也能检测。
TOP269KG具有经100%测试的集成精确锁存热过载保护功能，如果结温度达到+142 °C，芯片将关断输出保护电路。
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spowergg
LV.10
15
2020-11-04 16:49
@trllgh
如果初级绕组是的最内绕组变压器上，就会由被屏蔽其他变压器绕组，有助于降低噪声耦合从初级绕组到相邻部件。
初级绕组应该被设计为2绕组层或以下。这最大限度地减少了初级绕组的电容和漏电感变压器。
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spowergg
LV.10
16
2020-11-05 13:43
@xxbw6868
TOP269KG具有经100%测试的集成精确锁存热过载保护功能，如果结温度达到+142°C，芯片将关断输出保护电路。
注意散热能力必须足以使TOPSwitch-JX的温度在满载、低压和最高环境温度条件下的温度升。
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uf_1269
LV.8
17
2020-11-07 13:38
@spowergg
注意散热能力必须足以使TOPSwitch-JX的温度在满载、低压和最高环境温度条件下的温度升。
如果无法提供足够的散热面积，就需要通过气流来强制冷却，或者选择更大的型号。
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uf_1269
LV.8
18
2020-11-07 13:39
@dbg_ux
现在很多集成的开关电源芯片不仅可以降低功耗，并且可以很精确地控制PWM控制器和MOS管开关的时序。
输入为交流265V，空载时功率损耗低于100mW，空载损耗低，节约电能。
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dbg_ux
LV.9
19
2020-11-07 13:50
@trllgh
如果初级绕组是的最内绕组变压器上，就会由被屏蔽其他变压器绕组，有助于降低噪声耦合从初级绕组到相邻部件。
加入的胶带之间的层主层可以通过降低初级绕组的电容的4倍，这些都是比较关键的。
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紫蝶
LV.9
20
2020-11-07 21:40
@spowergg
初级绕组应该被设计为2绕组层或以下。这最大限度地减少了初级绕组的电容和漏电感变压器。
变压器初级绕组的设计需要注意工艺，避免带来大的干扰。
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紫蝶
LV.9
21
2020-11-07 21:41
@dbg_ux
加入的胶带之间的层主层可以通过降低初级绕组的电容的4倍，这些都是比较关键的。
加入胶带主要是隔离作用，降低分布电容的参数。
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svs101
LV.8
22
2020-11-07 22:13
@uf_1269
如果无法提供足够的散热面积，就需要通过气流来强制冷却，或者选择更大的型号。
经济高效的方式将725V 的功率管，高压开关电流源，PWM控制器，振荡器，保护电路，及其他控制电路集成在一起。
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svs101
LV.8
23
2020-11-07 22:15
@dbg_ux
加入的胶带之间的层主层可以通过降低初级绕组的电容的4倍，这些都是比较关键的。
控制引脚C 正常工作下电压接近5.8V 。空载时候在低频30KHZ 时，偏置绕组上的电容电压最小要约为9V 。
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ycdy09@163.com
LV.9
24
2020-11-10 18:45
@gxg1122
电源的芯片集成多种保护功能，外部设计有多种拓扑结构，根据设计可以选择合适的。
Pi的这个芯片应用的比较多，一个电路十几个元件就可以工作了。
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亲爱的郭郭
LV.9
25
2021-01-01 15:55
@uf_1269
TOP269KG设计的电源提供使用更大迟滞的自动恢复过热保护，迟滞值较大，可实现精确的热关断
非常适合用来设计反激式电源，最大可以设计到200多瓦。
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ycdy09@163.com
LV.9
26
2021-01-14 20:31
@gxg1122
电源功耗降低了，效率就提升，产品发热等就小，整个形成良性循环。
同时如果加装散热片，实现更高效率的散热，使系统工作更加稳定。
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原来会员名可以很长的
LV.9
27
2021-07-20 21:10
@cb_mmb
电磁干扰跟变压器的设计也有很大的关系的，变压器设计是设计开关电源的核心。

宽电压的85-265Vac那么TOP246Y最大能做到30-40W,适合中等功率的电源设计.

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wengnaibing
LV.9
28
2021-08-03 17:21
@uf_1269
如果无法提供足够的散热面积，就需要通过气流来强制冷却，或者选择更大的型号。

如果元器件的发热量得不到有效控制，那么元器件将在几分钟甚至更短的时间里失效。所以环境温度也很重要。

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眼睛里的海
LV.9
29
2021-08-03 17:32
@wengnaibing
如果元器件的发热量得不到有效控制，那么元器件将在几分钟甚至更短的时间里失效。所以环境温度也很重要。

一般而言，温度升高电阻阻值降低；高温会降低电容器的使用寿命

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k8882002
LV.9
30
2021-08-03 17:36
@眼睛里的海
一般而言，温度升高电阻阻值降低；高温会降低电容器的使用寿命

是的，高温会使变压器、扼流圈绝缘材料的性能下降；晶体三极管的电流放大倍数加大。

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tabing_dt
LV.10
31
2021-08-03 17:39
@wengnaibing
如果元器件的发热量得不到有效控制，那么元器件将在几分钟甚至更短的时间里失效。所以环境温度也很重要。

可以选用更好的散热器件加强散热：涂硅脂，导热硅胶垫，散热片氧化发黑

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