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PD快充MOS,替代氮化镓MOS器件,成本底,方案效率91%
PD快充MOS,替代氮化镓MOS器件,成本底,方案效率91%
1、超结MOS,低内阻,频率可达400KZ,
2、PDNF,8*8封装,体积小
3、完全可以达到PD快流要求,
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diwuxingyue
LV.4
2
2020-03-27 09:03
发个DEMO资料看看。diwuxingyue@126.com
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欧阳2019
LV.2
3
2020-04-10 11:41
@diwuxingyue
发个DEMO资料看看。diwuxingyue@126.com
加我微信:18819519524。PI方案,纳微方案,超结MOS我们都在做呢
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