SiC是一种基于硅和碳的复合半导体材料。
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。1200V功率等级下，各类功率器件的特性比较结果，参与比较的SiC MOSFET是GE12N15L。需要指出的是，这些功率器件都为TO-247封装，且IPW90R120C3耐压仅为900V，但它已是所能找到的相似功率等级下，特性较好的Si MOSFET。
SiC正在进军车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器。车载充电器通过电网为车辆充电。
SiC因其宽带隙技术脱颖而出。与传统硅基器件相比，SiC的击穿场强是传统硅基器件的10倍，导热系数是传统硅基器件的3倍，非常适合于高压应用，如电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机。另外，SiC还用于制造LED。
随着电动汽车以及其他系统的增长，碳化硅（SiC）功率半导体市场正在经历需求的突然激增。最大的增长机会在汽车领域，尤其是电动汽车。基于SiC的功率半导体用于电动汽车的车载充电装置，而这项技术正在进入系统的关键部分——牵引逆变器。 牵引逆变器为电动机提供牵引力，以推动车辆前进。对于这一应用，特斯拉在一些车型中使用了SiC功率器件，而其他电动汽车制造商则在评估这项技术。
电力电子技术在全球电力基础设施中发挥着关键作用。这项技术用于工业（电机驱动）、交通运输（汽车，火车）、计算（电源）和可再生能源（太阳能、风能）。电力电子技术在系统中实现交流电和直流电（AC&DC）的转换。
同时，基于SiC的功率半导体用于600伏~10千伏应用。Moxey表示：“600~1700伏电压适用于大多数SiC应用。当电压达到3.3~10千伏时，它非常适合。例如风力发电和小型电网。”
在电源领域，GaN用于30~600伏的应用。Moxey表示说：“GaN和SiC是互补技术，而非竞争技术。”
GaN和SiC器件都比硅快，但也更贵。Yole旗下System Plus Consulting部门设备主管Elena Barbarini表示：“目前，SiC MOSFET器件的每安培成本比同类IGBT高出五倍以上”。
产品资料：
联系方式：
QQ：:3400462929 电话：18126115420 李生有原厂工程技术支持，可以提供方案资料和送样测试，欢迎咨询。
