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-48V转-58V电源,急!!!

现有一款电源,要求,-48V输入(-36V~-58.5V),输出-58V,不要求隔离,效率不低于0.96(50%load)。

求问采用什么拓扑合理啊,BOOST升压的话可能在输入电压高的时候有问题,

如果采用sepic拓扑,SEPIC电容是够好选择。

如果采用全桥逆变,以哪种控制方式好一些啊?变压器副边的整流方式也不太好抉择啊,不太好选管子。

求大神指点

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hylylx
LV.9
2
2018-12-04 16:14
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2018-12-04 18:50
输出功率多大?
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fysh
LV.5
4
2018-12-04 21:26
4开关 升降压
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fysh
LV.5
5
2018-12-04 21:26
4开关 升降压
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2018-12-07 15:36

這只要一般BOOST電路就可以了, 規格這樣開的原因是因為: 當電壓輸入= 電壓輸出時, PWM輸出還在動, 原因是輸出多了一個VD

所以達到PWM完全關閉則 Vin - Vd = Vo 

這規格唯一要注意的是: 當Vin 越接近Vo 達臨界時, 輸出很容易產生震盪, 所以Ripple 會往上拉, 但這個點處理好就大致是沒問題的.......

 

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2019-01-03 16:44
@ymyangyong
输出功率多大?
输出功率6KW.
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2019-01-03 16:48
@fysh
4开关升降压

四开关的话,相当于也是两级了,不知道效率做的够不?

我现在有种想法就是移相全桥+同步整流,但是初步算了一下,效率估计有点够呛。还望老师指点。

主要是功率有点大,6KW,也就是输出有58V/103A.

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2019-01-03 17:00
@juntion
這只要一般BOOST電路就可以了,規格這樣開的原因是因為:當電壓輸入=電壓輸出時,PWM輸出還在動,原因是輸出多了一個VD所以達到PWM完全關閉則Vin-Vd=Vo 這規格唯一要注意的是:當Vin越接近Vo達臨界時,輸出很容易產生震盪,所以Ripple會往上拉,但這個點處理好就大致是沒問題的....... 

我就是没有直接用BOOST做过这么大功率的电源,之前做的BOOST功率都很小,而且升压比也大一些。

不清楚点一:BOOST输入很接近输入输出时候,不知道控制是否好做。

不清楚点二:客户是要求了-58.5V的输入范围,是否能够就这么用开关管的压降给他巧妙的避开。

不清楚点三:我看别个准备用5*6的那种贴片MOS做。散热是否能过。还是用220/247的好一些。但是220/247的成本就高一些了。

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2019-01-03 17:05
@hylylx
[图片]
请老师指教
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2019-01-04 10:00
@xiaodenrui123
我就是没有直接用BOOST做过这么大功率的电源,之前做的BOOST功率都很小,而且升压比也大一些。不清楚点一:BOOST输入很接近输入输出时候,不知道控制是否好做。不清楚点二:客户是要求了-58.5V的输入范围,是否能够就这么用开关管的压降给他巧妙的避开。不清楚点三:我看别个准备用5*6的那种贴片MOS做。散热是否能过。还是用220/247的好一些。但是220/247的成本就高一些了。

你這6KW: 

一般BOOST做不到了, 因為可以有切換MOSFET但輸出整流端用二極體達不到, 若是整流端也用MOSFET做成同步Boost, 那勢必要加死區, 只要加了死區, 那臨界點Vin 接近 Vout時, 電壓會突然掉下來產生UnderShooting

使用昇降壓IC來做, 一是考慮耐壓, 二是考慮溫度, 三是考慮輸出特性, 

耐壓是因為升降IC會有兩組自舉迴路, 以58V輸入, 那麼耐壓要達100V Ratting 才可 

溫度是這類IC要用多顆MOS並聯, 驅動電流怕不夠, 但是又不能外加驅動, 所以要選MOSFET

特性是, 當升壓轉降壓趨於臨界點時, 輸出一樣會出現UnderShooting , 當降壓轉升壓達臨界點時則輸出會出現OverSooting , 這種是電壓瞬間跨越時會出現, 週期寬度與Feed Respond 有關, 電壓高度則是因為處於

臨界點所以並不高, 就看客戶接不接受...

所以, 這種低壓大電流, 又電壓好接近, 你考慮選用推挽式加同步看看, 但效率要拉高且考慮死區時的漏磁問題, 可選正激推挽式再加輸出同步,但是正激推挽要加一顆大電容, 就看你體積如何


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2019-01-04 15:06
@juntion
你這6KW: 一般BOOST做不到了,因為可以有切換MOSFET但輸出整流端用二極體達不到,若是整流端也用MOSFET做成同步Boost,那勢必要加死區,只要加了死區,那臨界點Vin接近 Vout時,電壓會突然掉下來產生UnderShooting使用昇降壓IC來做,一是考慮耐壓,二是考慮溫度,三是考慮輸出特性, 耐壓是因為升降IC會有兩組自舉迴路,以58V輸入,那麼耐壓要達100VRatting才可 溫度是這類IC要用多顆MOS並聯,驅動電流怕不夠,但是又不能外加驅動,所以要選MOSFET特性是,當升壓轉降壓趨於臨界點時,輸出一樣會出現UnderShooting,當降壓轉升壓達臨界點時則輸出會出現OverSooting,這種是電壓瞬間跨越時會出現,週期寬度與FeedRespond有關,電壓高度則是因為處於臨界點所以並不高,就看客戶接不接受...所以,這種低壓大電流,又電壓好接近, 你考慮選用推挽式加同步看看,但效率要拉高且考慮死區時的漏磁問題,可選正激推挽式再加輸出同步,但是正激推挽要加一顆大電容,就看你體積如何

军长,你好,就是考虑到输出功率较大(电流大),所以,SEPIC/LLC这种需要加电容的电路就不好做了,电容不好选择。

如果用推挽的方式去做,开关管工作在硬开关状态,而且开关管要求耐压高,不知道效率能不能达到要求。

我现在有两种考虑:

一种是直接用BOOST做,这种方式做的话成本较低,控制也简单;但是具有的问题就如之前所述;

第二种方案就是使用全桥移相+同步整流,分成2个3kw并联。但是原边电流较大,需要的谐振电感很小,怕漏感大了,占空比丢失太大,是不是可以在开关管上并联电容解决这一问题。

老师,你给我留个邮箱,我最近做了这个原理图的设计,我发您邮箱,你帮忙看下。

还有就是我现在这种拓扑可能不是最好的,有什么好的也可以推荐一下。

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fysh
LV.5
13
2019-01-07 19:28
@fysh
4开关升降压
好像隔离的效率低
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2019-01-08 09:53
@fysh
好像隔离的效率低
就是,隔离的方案效率是要低一些,但是初步计算一下也可能能满足要求。现在就是属于方案选择阶段,市场上也没哟类似的产品可以参考一下。想找个最优的方案实验。
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fysh
LV.5
15
2019-01-08 12:50
@fysh
4开关升降压
感觉还说就做升压就好了 电压有点尴尬
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fysh
LV.5
16
2019-01-08 12:50
@fysh
4开关升降压
感觉还说就做升压就好了 电压有点尴尬
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2019-01-10 10:26
@xiaodenrui123
军长,你好,就是考虑到输出功率较大(电流大),所以,SEPIC/LLC这种需要加电容的电路就不好做了,电容不好选择。如果用推挽的方式去做,开关管工作在硬开关状态,而且开关管要求耐压高,不知道效率能不能达到要求。我现在有两种考虑:一种是直接用BOOST做,这种方式做的话成本较低,控制也简单;但是具有的问题就如之前所述;第二种方案就是使用全桥移相+同步整流,分成2个3kw并联。但是原边电流较大,需要的谐振电感很小,怕漏感大了,占空比丢失太大,是不是可以在开关管上并联电容解决这一问题。老师,你给我留个邮箱,我最近做了这个原理图的设计,我发您邮箱,你帮忙看下。还有就是我现在这种拓扑可能不是最好的,有什么好的也可以推荐一下。
有問題在板上談
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2019-01-10 10:58
@juntion
有問題在板上談

控制回路没上传,如果需要看的话我可以私法邮件。

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2019-01-10 12:06
@xiaodenrui123
[图片]控制回路没上传,如果需要看的话我可以私法邮件。
 這是全橋結構, 也好, MOS較好選..
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2019-01-10 12:29
@juntion
 這是全橋結構,也好,MOS較好選..

用这种拓扑做的话。我控制这么干的。太繁琐,复杂了。有没有什么简单的方式可以选择、

这样做了的话,效率不确定能满足要求。

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st.you
LV.9
21
2019-01-14 14:44
@xiaodenrui123
[图片]控制回路没上传,如果需要看的话我可以私法邮件。
所有的功率都通过变压器来传递,效率很难高到哪去的,不如跟客户商量,输入电压范围是不是可以调整窄一点,直接用多相的BOOST就好了,元件也省,电路也简单。
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ruohan
LV.9
22
2019-01-17 15:11
@xiaodenrui123
[图片]控制回路没上传,如果需要看的话我可以私法邮件。
前面变压器绕组怎么接的啊
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2019-01-30 10:43
@ruohan
前面变压器绕组怎么接的啊

H桥输出接了一个电流霍尔,准备做逐周限流使用。

刚开始准备用互感器,我怕电流太大,互感器串联进去的电感影响主回路太大,就是用了霍尔。

霍尔就在图下面部分。

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