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SiC MOSFET的DS波形不正常跌落

使用SiC MOSFET SCH2080ke时,双有源桥原边同一桥臂下,驱动时出现DS波形不正常跌落的情况。副边是正常的。

1为原边桥臂上管GS,4为原边桥臂上管DS(下图Q1)3为同一桥臂下管GS。(下图Q5)发现驱动波形正常,但是在上管正常关断后,下管导通时会同时把上管的DS电压拉低。下管关断时也有相同现象。在母线电压较低时仍然会有相同现象,只是DS被拉低的幅度比较小。采用20V/-4V负压驱动,GS间并联了10K电阻和8nF电容。

补充说明:

红圈内Q5GS(紫色)下降,Q5关断(Q5的DS曲线未显示,但各个时刻与Q1DS(绿色)值之和应等于母线电压)。此时Q1进入续流状态,DS电压为0,下降沿1是所期望的波形。死区时间经过后Q1的GS上升,此时应为ZVS导通,按理来说这个导通过程中其DS(绿色)应该没有动作,因为早在Q5关断时DS就已经续流导通。但不知为何出现了2处的电压上升。上下管驱动波形都是正常的,请问这个波形2应如何避免?其他地方的不正常跌落也是同理。

由于是双有源桥拓扑,变压器原边串了一个18uH的电感,开关频率为200kHz。

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hylylx
LV.9
2
2018-10-18 13:05
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proKun
LV.1
3
2018-10-18 14:07
@hylylx
[图片]
图片好像有点问题,已经修正
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2018-10-21 21:35
@proKun
图片好像有点问题,已经修正
双有源桥我不懂,不过这个是不是由于死区过大,电流都没了你MOS还没导通造成的?
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