buck电路下管mos GS端并联电容的作用

消除尖峰干扰

那不是防干擾, 是防止發生Short threshold...

通常上下橋為了避開上下導通, 所以死區都做很大, 但理論上死區越小, 效率可以越高, 但動態容易交越..

所以當死區大時, 會在上下皆不導通時拉一根負信號, 稱為Short threshold, 這根信號很容易讓上橋MOS掛掉

因此必須在下橋MOS_G_S並聯一顆電容讓下橋關斷慢一點, Short threshold 就不會那麼深......

让下桥关断慢一点的话，LG关断到HG的上升的死区时间不是变小了吗？这样更容易发生同时导通的现象吗？

加这个电容会影响下桥导通时的速度吗？

死区大了容易产生尖峰电压，我用的ir2304,100ns死区尖峰不算大，没加电容和吸收