反激RCD二极管
一直认为反激的RCD二极管用慢管比快管更能消除MOSFET尖峰,事实也确实如此。但一直想不明白为什么,谁能说说
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@juntion
那是因為二極體的Qrr,不是Trr喔,Qrr在二極體關斷時,慢管會拉的很深,相對一些峰值當然會被吸收可是........因為Qrr越大,二極體關斷損失也最大(Ir*Vpek),所以慢管很容易發熱,一般除了EMI關係,要不RDC的C加大或R變小效果一樣熱在電組總比熱在二極體好多了.....Qrr若不知,上Cree網站,碳化硅二極體強調的就是這一點............
太高深了,不明白。只知道QRR是反向恢复电荷,其他的对这个问题有用的东西什么都查不到。 对于 QRR在二极体关断时,慢管会拉的很深 这一句,不明白QRR拉得深这对尖峰的吸收有什么关系,此外,二极管不是在导通时才吸收尖峰吗,怎么说是在二极体关断时呢。望版主指点迷津,多谢
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@juntion
是......
剛剛無意間看了一個精華帖有提到慢管的問題,不予評論, 不過要提醒你, 多組輸出或高漏感的場合(Gap磨比較深, 低感量怕飽和)以及高操作頻率(100KHz以上)等這些條件下, 儘量不要使用慢管, 雖然有助於EMI, 但這些應用本身的峰值就很高, 用慢管會有相當溫度, 絕大部分工程師都不知道亂用, 也不知道二極體有一個順向轉折點在50度C到75度C之間(SPEC有曲線圖), 當溫度超過這個轉折點時, 順向電流將開始往下降, 逆向電流會開始往上升
以一顆1A快速二極體為例, 在轉折前為1A, 開始轉折後隨溫度上升而下降, 到達100度C時容許電流約為0.6A, 逆電流為轉折的2倍, 若慢管更嚴重
因此長期工作很容易因熱跑脫而崩潰....
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@juntion
剛剛無意間看了一個精華帖有提到慢管的問題,不予評論,不過要提醒你,多組輸出或高漏感的場合(Gap磨比較深,低感量怕飽和)以及高操作頻率(100KHz以上)等這些條件下, 儘量不要使用慢管,雖然有助於EMI,但這些應用本身的峰值就很高,用慢管會有相當溫度,絕大部分工程師都不知道亂用,也不知道二極體有一個順向轉折點在50度C到75度C之間(SPEC有曲線圖),當溫度超過這個轉折點時,順向電流將開始往下降,逆向電流會開始往上升以一顆1A快速二極體為例,在轉折前為1A,開始轉折後隨溫度上升而下降,到達100度C時容許電流約為0.6A,逆電流為轉折的2倍,若慢管更嚴重因此長期工作很容易因熱跑脫而崩潰....
受益匪浅啊!只是还想请教个问题,为什么调整RCD的电容或者电阻对尖峰的吸收作用不大呢
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