帮忙给看一下这个过压保护有缺陷吗

這當然有缺陷, D1使用4.7V穩壓管, Q1,Q2組成達靈頓, 可能你的目的是要讓Q2快速導通史Q3 off, 但卻讓保護電壓往上升

穩壓管4.7V+Q1_Vbe+Q2_Vbe, 少說也要5.9V, 且過電壓保護通常要用自閉鎖, 就是一觸發就要關斷直到輸入移除, 不然後面負載都死一堆了

電壓還在跳動.....

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

现在需要的就是，超过5.5V或者6.0V就切断输出，这是打算用在USB充电上的，芯片本身过流保护，短路保护。 自锁必须要加上吗，不加上有什么影响。

电路原理根本就不对！

哦 还有一个用P沟道mos管的电路图你给看一下方便吗？

这个原理没问题! 需要注意：稳压管要用5.1V0.5W的，设计好R3R4的取值使DZ1至少要有3毫安的电流，否则电压偏低，PMOS管要选低导通电阻的，如SI2301。该电路为限压保护电路。

用si2301 是不是会有些发热，规格书上写的最大2.3A。这个电路可以达到1.8A的输出

表示看不懂  

电流是有点小，那就SI2307吧，因为内阻很小，不会太热。

若下圖用P-MOSFET 當開關瞬間關斷, 則不必加自鎖, 若你原先是一個信號源, 則自鎖是必須的..