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MOS管的体二极管峰值dv/dt超标会导致MOS损坏吗?

最近用FQPF9N90做的反激电源发现有烧管的。实测MOS关断时dv/dt较高,约10V/nS,文档上面 peak diode recovery dv/dt 是4V/nS。会是这个原因导致烧管的吗?

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小巩
LV.11
2
2016-11-14 09:58
900V的MOS吗
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2016-11-16 09:34

你这是做几W的?

9A900V的MOS管,VDS是多少?

dv/dt有可能烧管,不过你还是看回Ip 及VDS

最主要的是,变压器有没有饱和

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