IGBT与MOSFET，同样的耐压，电流等级情况下，导通的压降IGBT小很多？

没有用到TO247的IGBT，只用了IGBT模块。

大致是这样的情况，电压较高，600V,900V，电流超过50A以后，MOSFET的优势就不明显了。

Rdson对应的电流产生的压降会线性增加，但是IGBT的VCE基本就是1-2V左右。

TO-247的封装对应的散热面积较小。MOSFET的模块比较少见，IGBT的模块比较多，散热面积大，结构上稍微好处理些。

讲的对！

MOSFET是导通电阻

IGBT是导通电压

两者功耗就看应用的电流大小了。

开关速度也不一样，MOSFET的快

IGBT关断时有拖尾！

你好，我可以这样理解么，我们拿600V为例，MOSFET是电流的平方乘以Rdson为导通的损耗，IGBT是电流乘以Vce是导通损耗，最终就要评估两者的总损耗，包括开关损耗等，加起来，再根据各自的封装，看能否达到散热要求，是否需要用散热器等等，最终评估成本，选择MOS还是IGBT。有一点，如果选用MOS，我的频率可以做高，磁性原件就可以小，成本可以减，反之，IGBT不行喽。

以上理解，请多分析，谢谢

楼主是想干什么呢

嗯，磁性原件的损耗跟B值，频率，体积有关，温升跟周围的整机温度也关联，太纠结了。

最近做些大功率的产品，很多都用IGBT的，我以前都是用MOS比较多，频率都是几百K的，突然要用IGBT，好迷茫。

请指教啊

电路拓扑是相通的，没什么好迷茫的。公式变化也不大，无非是修改些理论上的一些校正值。

频率低了，更多的是要考虑散热问题。有人指导还好，如果没人指导，估计要交不少的学费的。

IGBT比MOS管的压降要小很多？可以替代MOS管？

以低压内阻1mR的mos管为例，

电流100A时，mos管压降0.1V，IGBT压降2V

电流10A时，MOS管压降0.01V，IGBT压降2V

电流1A时，MOS管压降0.001V,IGBT压降2V

到底哪个能打？

到底哪个压降要低？

IGBT总在耐压高的地方，mosfet总在低压的地方，

2V/2mR=1000A

所以在1000A以下，感觉低压还是mosfet的天下吧?

有道理