特色概述 • InnoSwitch-CH – 业界首款具备隔离式、高安全等级的集成反馈功能的 AC/DC IC • 具备次级侧控制的所有优势，同时初级侧调节极为简单 • ±3%恒压、±5%恒流调节 • 对变压器变化不敏感 • 瞬态响应与负载时序无关 • 尺寸更小、成本更低的输出电容 • 空载输入功率功耗<10 mW • 电缆压降补偿 • 内置的同步整流，可提高效率
4 电路描述
4.1 输入 EMI 滤波
保险丝F1为初级侧元件提供严重故障保护。
有必要使用一个浪涌限制热敏电阻(RT1)，因为整流二极管(D1-D4)的浪涌电流额定值较
低，并且大容量电容C2和 C4的值相对较高且具低阻抗。
D1-D4选用了小尺寸的二极管，因为空间受限，特别是PCB到壳体的高度较小。
电容 C2和 C4对整流 AC输入提供滤波，与 L1和 L2一起形成π型滤波器，对差模 EMI 进
行衰减。低值 Y电容(C8)可降低共模EMI。
4.1 InnoSwitch-CH IC 初级
变压器初级的一端连接到整流 DC 总线，另一端连接到 InnoSwitch-CH IC (U1)内集成的
650 V功率 MOSFET。
由 D1、R1、R14和 C1形成的低成本 RCD箝位可限制峰值漏极电压（受变压器和输出走线
电感影响而产生）。
IC 具有自启动功能，当首次 AC 上电时，它使用内部高压电流源对 BPP 引脚电容(C6)进行
充电。在正常工作期间，初级侧控制从变压器的辅助绕组获得供电。其输出采用反激式绕
组，通过电流限制电阻R4进行整流和滤波（D2和 C5）并馈入BPP引脚。
输出稳压通过采用 ON/OFF 控制来实现，使能开关周期的数量根据输出负载进行调整。在
重负载下，大部分开关周期都被使能；在轻载或空载下，大部分周期都被禁止或跳过。一
旦周期使能后，功率 MOSFET 将保持导通，直到初级电流逐渐增大到特定工作状态的器件
限流点。该 IC 设定了四种工作状态（限流点），以使初级电流开关模式的频率分量保持在
音频范围之外，直到轻载时，变压器磁通密度以及因此产生的音频噪声都处于极低水平。
